[發(fā)明專利]可變電阻式內存及其制造方法

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• 申請日: 2019-07-31
• 公開（公告）號: CN112310278A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 白昌宗;林銘哲;劉奇青;趙鶴軒;鄭嘉文
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;任默聞

1.一種可變電阻式內存，其特征在于，所述可變電阻式內存包括：

一下電極；

一金屬氧化層，形成于該下電極上，其中該金屬氧化層包括多個導電絲區(qū)域，每一導電絲區(qū)域具有一底部與一頂部，且該底部的寬度大于該頂部的寬度，其中所述導電絲區(qū)域包括氧空缺，該金屬氧化層中所述導電絲區(qū)域以外的區(qū)域包括含氮區(qū)域；以及

多個上電極，形成于該金屬氧化層上，分別對應所述導電絲區(qū)域。

2.根據(jù)權利要求1所述的可變電阻式內存，其特征在于，所述金屬氧化層為一連續(xù)式金屬氧化層，且所述導電絲區(qū)域彼此相鄰。

3.根據(jù)權利要求1所述的可變電阻式內存，其特征在于，所述下電極包括多個分離部。

4.根據(jù)權利要求3所述的可變電阻式內存，其特征在于，所述金屬氧化層包括多個分離部，且該金屬氧化層的每一分離部分別包括一個該導電絲區(qū)域。

5.根據(jù)權利要求4所述的可變電阻式內存，其特征在于，所述可變電阻式內存還包括一基板，具有多個溝槽，其中該下電極的所述分離部分別形成于所述溝槽中。

6.根據(jù)權利要求5所述的可變電阻式內存，其特征在于，所述下電極的每一分離部包括一主要部分與多個延伸部分，所述延伸部分自該主要部分的上表面以彎折型態(tài)延伸。

7.根據(jù)權利要求6所述的可變電阻式內存，其特征在于，所述金屬氧化層的所述分離部分別形成于該下電極的該主要部分上，并為該下電極的所述延伸部分所包圍。

8.根據(jù)權利要求3所述的可變電阻式內存，其特征在于，所述金屬氧化層為一連續(xù)式金屬氧化層，且該金屬氧化層覆蓋該下電極的所述分離部的側壁。

9.根據(jù)權利要求3所述的可變電阻式內存，其特征在于，所述金屬氧化層為一連續(xù)式金屬氧化層，且所述上電極覆蓋該金屬氧化層的側壁。

10.一種可變電阻式內存的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

形成多個溝槽于該基板中；

形成多個下電極于所述溝槽中；

形成多個金屬氧化層于所述下電極上，并為所述下電極所包圍；

對所述金屬氧化層進行一氮離子工藝，以于所述金屬氧化層中形成多個導電絲區(qū)域以及所述導電絲區(qū)域以外的含氮區(qū)域；以及

形成多個上電極于所述金屬氧化層上。

11.根據(jù)權利要求10所述的可變電阻式內存的制造方法，其特征在于，所述氮離子工藝包括氮離子注入工藝，其注入角度大約介于10到80度之間，并旋轉4到8次，每次旋轉角度大約介于45到90度之間。

12.根據(jù)權利要求10所述的可變電阻式內存的制造方法，其特征在于，所述方法還包括于該氮離子工藝之后，對所述金屬氧化層進行退火工藝。