[發明專利]一種改善CdSe/ZnS量子點QLED器件性能的有機分子摻雜的制備方法

在審

• 申請號: 201910698784.2
• 申請日: 2019-07-31
• 公開（公告）號: CN110571359A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 胡俊濤;朱錢鵬;林鈺涵;李杰;王鵬;羅派峰
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;C09K11/02;C09K11/88
• 代理公司: 34112 安徽合肥華信知識產權代理有限公司
• 代理人: 余成俊

1.一種改善CdSe/ZnS量子點QLED器件性能的有機分子摻雜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）CBP有機分子溶液的制備：取一定量的CBP粉末溶于甲苯中，形成濃度為25mg/mL 的無色透明溶液；

（2）CdSe/ZnS量子點與CBP有機分子混合溶液的制備：分別取一定量的步驟（1）制得的CBP有機分子溶液與CdSe/ZnS量子點溶液混合，形成不同質量比的紅色混合溶液；

（3）CdSe/ZnS量子點與CBP有機分子混合溶液的薄膜制備：將步驟（2）制得的混合溶液移至手套箱中，旋涂不同質量比的溶液，之后放置于加熱平臺上退火，得到淡紅色的薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種改善CdSe/ZnS量子點QLED器件性能的有機分子摻雜的制備方法，其特征在于：步驟（1）中將CBP粉末溶于甲苯中，并放置在加熱臺上，60~80℃加熱30~60min，讓CBP完全溶解。

3.根據權利要求1所述的一種改善CdSe/ZnS量子點QLED器件性能的有機分子摻雜的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述的CdSe/ZnS量子點溶液的濃度為20mg/mL，其溶劑是甲苯。

4.根據權利要求3所述的一種改善CdSe/ZnS量子點QLED器件性能的有機分子摻雜的制備方法，其特征在于：步驟（2）中分別制備4種不同質量比的混合溶液，CBP:CdSe/ZnS的質量比分別為：0, 0.04,0.06,0.08。

5.根據權利要求1所述的一種改善CdSe/ZnS量子點QLED器件性能的有機分子摻雜的制備方法，其特征在于：步驟（3）中所述的退火的溫度為100~120℃，退火時間為10~20min。