[發(fā)明專利]一種LDMOS的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910698764.5
• 申請日: 2019-07-31
• 公開（公告）號: CN110416089B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于濤
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

本發(fā)明公開了一種LDMOS的制備方法，包括：提供一襯底，在襯底上依次形成第一氧化薄膜、第一多晶硅薄膜和氮化物薄膜；刻蝕氮化物薄膜、第一多晶硅薄膜、第一氧化薄膜和襯底，以在襯底中形成開口；以及在開口內(nèi)生長場氧，并形成鳥嘴結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在低熱預(yù)算制作工藝下，具有靈活調(diào)控其場氧厚度的優(yōu)點，實現(xiàn)提高LDMOS兼容性的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備工藝，尤其是涉及一種LDMOS的制備方法。

背景技術(shù)

隨著LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)在集成電路中的應(yīng)用越來越廣泛，對于LDMOS的性能要求越來越高。

現(xiàn)有的LDMOS的場氧(locos)厚度完全由氧化時間控制，當(dāng)所需場氧厚度較厚時，就需要延長對所述LDMOS的熱氧化時間，而長時間對所述LDMOS的襯底進(jìn)行熱氧化處理，容易引入缺陷，并影響與其他器件的集成。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種LDMOS的制備方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中，所述場氧厚度受熱氧化工藝的限制，不能靈活調(diào)控其場氧厚度的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種LDMOS的制備方法，包括：

提供一襯底，在所述襯底上依次形成第一氧化薄膜、第一多晶硅薄膜和氮化物薄膜；

刻蝕所述氮化物薄膜、所述第一多晶硅薄膜、所述第一氧化薄膜和所述襯底，以在所述襯底中形成開口；以及

在所述開口內(nèi)生長場氧，并形成鳥嘴結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述刻蝕所述氮化物薄膜、所述第一多晶硅薄膜、所述第一氧化薄膜和所述襯底，包括：采用光刻工藝在所述襯底上定義出形成場氧的區(qū)域，并刻蝕該區(qū)域，在該區(qū)域上形成所述開口。

進(jìn)一步的，所述在所述開口內(nèi)生長場氧，并形成鳥嘴結(jié)構(gòu)，包括：對所述襯底進(jìn)行熱氧化處理，以在所述開口內(nèi)形成第一場氧層；在所述開口內(nèi)形成第二場氧層，所述第二場氧層位于所述第一場氧層上，且完全填充所述開口，所述第一場氧層和所述第二場氧層構(gòu)成所述場氧。

進(jìn)一步的，所述在所述開口內(nèi)形成第二場氧層，包括：采用化學(xué)氣相沉積工藝在所述襯底的全局表面上形成第二場氧薄膜，所述第二場氧薄膜完全填充所述開口，并對所述襯底進(jìn)行化學(xué)機械研磨處理，將位于所述氮化物薄膜上的第二場氧薄膜去除，形成所述第二場氧層。

進(jìn)一步的，所述LDMOS的制備方法還包括：去除所述第一氧化薄膜、第一多晶硅薄膜和氮化物薄膜，暴露出所述襯底的部分表面，以及所述場氧的部分表面；生長柵氧層和第二多晶硅薄膜，刻蝕所述第二多晶硅薄膜，形成柵極結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述LDMOS的制備方法還包括：以所述柵極結(jié)構(gòu)和所述場氧為掩膜，對所述襯底進(jìn)行離子注入，在所述襯底內(nèi)形成源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述第一場氧層厚度范圍為100埃-1000埃。

優(yōu)選地，所述第二場氧層厚度由所述第一氧化薄膜、第一多晶硅薄膜和氮化物薄膜的厚度決定。

優(yōu)選地，所述第一場氧層的材料為二氧化硅，所述第二場氧層的材料為二氧化硅。

優(yōu)選地，所述氮化物薄膜的材料為氮化硅。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點：