[發(fā)明專利]遮蔽構(gòu)件和單晶生長裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910698737.8
• 申請日: 2019-07-31
• 公開（公告）號: CN110820042B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藤川陽平
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 王瀟悅;段承恩

1.一種遮蔽構(gòu)件，配置在單晶生長裝置中，所述單晶生長裝置具備晶體生長用容器和加熱部，

所述晶體生長用容器具備在內(nèi)底部收納原料的原料收納部、以及與所述原料收納部相對的晶體設(shè)置部，

所述加熱部對所述晶體生長用容器進行加熱，

所述單晶生長裝置使原料從所述原料收納部升華，在設(shè)置于所述晶體設(shè)置部的晶體上生長所述原料的單晶，

所述遮蔽構(gòu)件被配置在所述原料收納部與所述晶體設(shè)置部之間，

所述遮蔽構(gòu)件具備多個遮蔽板，

所述多個遮蔽板各自的面積為所述晶體生長用容器的底面積的40％以下，

將所述多個遮蔽板投影到在所述原料收納部填充有原料時的原料表面位置的內(nèi)切圓上而形成的投影面的遮蔽率為0.5以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，所述多個遮蔽板的至少一個位于高度與其他遮蔽板的高度不同的位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，所述多個遮蔽板彼此連接。

4.一種單晶生長裝置，具備權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單晶生長裝置，具備晶體生長用容器和加熱部，

所述晶體生長用容器具備在內(nèi)底部收納原料的原料收納部、以及與所述原料收納部相對的晶體設(shè)置部，

所述加熱部對所述晶體生長用容器進行加熱，

在所述原料收納部與所述晶體設(shè)置部之間配置遮蔽構(gòu)件，

在晶體設(shè)置部配置晶體，

所述單晶生長裝置使原料從所述原料收納部升華，在設(shè)置于所述晶體設(shè)置部的晶體上生長所述原料的單晶。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽構(gòu)件全部是圓形的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽構(gòu)件全部是六邊形的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽構(gòu)件全部是扇形的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述投影面的遮蔽率為0.6以上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述投影面的遮蔽率為0.7以上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述投影面的遮蔽率為0.9以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽板的投影面各自的面積為晶體生長用容器的內(nèi)底面的面積的30％以下。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽板的投影面各自的面積為晶體生長用容器的內(nèi)底面的面積的20％以下。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽構(gòu)件以密排六方結(jié)構(gòu)配置。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽構(gòu)件具有以下結(jié)構(gòu)：俯視時以等間隔排列地在正六邊形的各角和中心配置遮蔽板。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽構(gòu)件具有以下結(jié)構(gòu)：俯視時以等間隔排列地在正三角形的各角配置遮蔽板。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽構(gòu)件，

所述遮蔽構(gòu)件以2段結(jié)構(gòu)配置。