[發明專利]動態隨機存取存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201910698167.2
• 申請日: 2019-07-31
• 公開（公告）號: CN112310078B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發明（設計）人: 任楷;張皓筌
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種動態隨機存取存儲器，其特征在于，包括：

襯底，具有多個有源區，每一所述有源區包括沿第一方向排列的多個柱狀結構；

多個第一位線結構，埋設于所述襯底中，其中每一所述第一位線結構沿所述第一方向延伸，且沿第二方向排列的所述多個有源區之間包括兩個所述第一位線結構；

多個第二位線結構，其中每一所述第二位線結構位于所述多個有源區的其中一者的所述多個柱狀結構之間，且沿所述第二方向延伸穿過所述多個有源區的其中一者，以設置于所述多個有源區的其中一者兩側的所述多個第一位線結構上，并與下方的所述多個第一位線結構電性連接；以及

多個字線結構，與所述多個第二位線結構相間隔地配置于所述多個第二位線結構上，其中每一所述字線結構位于所述多個有源區的其中一者的所述多個柱狀結構之間，且沿所述第二方向延伸而穿過沿所述第二方向排列的所述多個有源區。

2.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，每一所述柱狀結構包括：

多個第一摻雜區，配置于所述多個柱狀結構的底部與頂部；以及

第二摻雜區，配置于所述多個第一摻雜區之間。

3.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，還包括多個電容器與多個電容器接觸結構，設置于所述多個有源區上，所述多個電容器接觸結構配置于所述多個電容器與所述多個有源區之間，其中每一所述電容器接觸結構與下方的所述有源區的所述多個柱狀結構電性連接。

4.根據權利要求3所述的動態隨機存取存儲器，還包括：

多個絕緣層，形成于所述多個柱狀結構之間的凹陷區的底表面上，以位于所述多個第二位線結構與所述襯底之間；

第一絕緣結構，配置于所述多個第二位線結構與所述多個字線結構之間；

第二絕緣結構，配置于所述多個字線結構與所述多個電容器接觸結構之間；及

柵介電層，位于所述多個字線結構與所述多個柱狀結構之間。

5.根據權利要求4所述的動態隨機存取存儲器，其中所述多個第一位線結構的頂面與所述凹陷區的底面共平面。

6.一種動態隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

形成多個第一淺溝槽與多個深溝槽于襯底中以定義出多個有源區，其中每一所述深溝槽沿第一方向延伸，每一所述第一淺溝槽沿第二方向延伸；

形成多個第一位線結構于所述多個深溝槽中；

形成多個第二淺溝槽于所述多個有源區中，使每一所述有源區包括位于每一所述第二淺溝槽兩側的多個柱狀結構，所述多個第二淺溝槽與所述多個第一淺溝槽沿所述第一方向交替排列；

形成多個第二位線結構于所述多個第二淺溝槽中，其中每一所述第二位線結構與所述多個有源區的其中一者兩側的所述多個第一位線結構電性連接；以及

形成多個字線結構于所述多個第二位線結構上，其中所述多個字線結構與所述多個第二位線結構相間隔開。

7.根據權利要求6所述的動態隨機存取存儲器的制造方法，其中形成所述多個第一位線結構的步驟包括：

以絕緣層填滿所述多個第一淺溝槽與所述多個深溝槽；

圖案化所述絕緣層，以在所述多個深溝槽中形成多個凹槽，其中每一所述凹槽沿所述第一方向延伸，且每一所述凹槽沿所述第二方向排列；以及

于所述多個凹槽中形成所述多個第一位線結構。

8.根據權利要求7所述的動態隨機存取存儲器的制造方法，其中形成所述多個第二位線結構的步驟包括：

于所述襯底上以及所述多個第二淺溝槽中形成導電材料層；

回蝕刻所述導電材料層；以及

圖案化所述導電材料層，以裸露出位于所述多個深溝槽中的所述絕緣層的頂面。

9.根據權利要求6所述的動態隨機存取存儲器的制造方法，其中于形成所述多個字線結構之后還包括：

對所述多個柱狀結構進行摻雜，以在每一所述柱狀結構中形成多個第一摻雜區與位于所述多個第一摻雜區之間的第二摻雜區。