[發明專利]一種提高抗輻照性能的多結太陽能電池及制作方法

在審

• 申請號: 201910697039.6
• 申請日: 2019-07-30
• 公開（公告）號: CN110311006A
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 吳真龍;李俊承
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0725
• 分類號: H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/0304;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 溫可睿

1.一種提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，包括：

至少三結子電池，所述三結子電池中至少包括InGaAs子電池，以及GaInP子電池或AlGaInP子電池，所述GaInP子電池或AlGaInP子電池為所述多結太陽能電池的頂電池，所述InGaAs子電池為位于所述多結太陽能電池的底電池和所述頂電池之間的中間電池；

位于所述頂電池背離所述底電池一側的光導接觸層；

位于所述光導接觸層背離所述頂電池一側的透明電極，所述透明電極為柵線結構，且所述光導接觸層和所述透明電極在所述頂電池上的投影重疊；

其中，所述光導接觸層的材質為GaInP或AlGaInP。

2.根據權利要求1所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，還包括：

歐姆接觸層，所述歐姆接觸層位于所述光導接觸層朝向所述透明電極的表面；

其中，所述歐姆接觸層的材質為AuGeNi。

3.根據權利要求2所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，所述歐姆接觸層的厚度范圍為2nm-10nm，包括端點值。

4.根據權利要求1所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，所述光導接觸層的厚度范圍為0.2μm-1μm，包括端點值；所述光導接觸層為n型接觸層，n型雜質的摻雜濃度范圍為1×10¹⁸/cm³～1×10¹⁹/cm³，包括端點值。

5.根據權利要求1所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，所述透明電極為ITO電極、IZO電極、IGZO電極、AZO電極或石墨烯電極。

6.根據權利要求1所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，還包括：腐蝕截止層；

所述腐蝕截止層位于所述光導接觸層朝向所述底電池的表面。

7.根據權利要求6所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，所述腐蝕截止層為n型AlGaAs材質。

8.根據權利要求7所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，所述腐蝕截止層的厚度范圍為1nm-20nm，包括端點值；其中，Al組分大于0.35，且小于1。

9.根據權利要求1-8任意一項所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，所述多結太陽能電池為三結太陽能電池，所述三結太陽能電池包括：

沿生長方向依次設置的Ge底電池、InGaAs中電池和頂電池，所述頂電池為GaInP頂電池或AlGaInP頂電池。

10.根據權利要求1-8任意一項所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，其特征在于，所述多結太陽能電池為四結太陽能電池，所述四結太陽能電池包括：

沿生長方向依次設置的Ge第一子電池、InGaAs第二子電池、AlInGaAs第三子電池和GaInP第四子電池或AlGaInP第四子電池。

11.一種提高抗輻照性能的多結太陽能電池制作方法，其特征在于，用于制作形成權利要求1-10任意一項所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池，所述制作方法包括：

提供襯底；

在所述襯底的一側形成底電池；

在所述底電池背離所述襯底的一側形成InGaAs子電池；

在所述InGaAs子電池背離所述襯底的一側形成GaInP子電池；

在所述GaInP子電池背離所述InGaAs子電池的一側生長形成光導接觸層，所述光導接觸層的材質為GaInP或AlGaInP；

在所述光導接觸層背離所述GaInP子電池的一側形成透明電極；

其中，所述透明電極為柵線結構，且所述光導接觸層和所述透明電極在所述頂電池上的投影重疊。

12.根據權利要求11所述的提高抗輻照性能的多結太陽能電池制作方法，其特征在于，在所述GaInP子電池背離所述InGaAs子電池的一側生長形成光導接觸層之前，還可以包括：

在所述GaInP子電池背離所述InGaAs子電池的表面形成腐蝕截止層；

在所述腐蝕截止層背離所述GaInP子電池的表面形成整層的光導接觸層；

采用濕法刻蝕工藝去除部分所述光導接觸層和所述腐蝕截止層，以形成柵線結構的光導接觸層。