[發明專利]離子注入轉角監控方法及離子注入機

有效

• 申請號: 201910694595.8
• 申請日: 2019-07-30
• 公開（公告）號: CN110416044B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 李穩迪;張立;謝威
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01J37/244
• 分類號: H01J37/244;H01J37/317;H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種離子注入轉角監控方法，用于半導體器件離子注入制造工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1，依次連續對五片硅片執行預設角度相同，預設轉角不同的離子注入；

S2，測量獲得各硅片的熱波值；

S3，以注入轉角作為橫坐標，熱波值作為縱坐標，將步驟S1測得的各硅片注入轉角和熱波值形成V曲線；

S4，若V曲線符合設計標準，則執行生產作業；

若V曲線不符合設計標準，則離子注入機進行角度校準后返回上述步驟S1重新執行各步驟。

2.如權利要求1所述的離子注入轉角監控方法，其特征在于：所述離子注入機是Varian高電流及中電流離子注入機。

3.如權利要求1所述的離子注入轉角監控方法，其特征在于：實施步驟S1時，硅片采用高精度硅片(accuracy wafer)。

4.如權利要求3所述的離子注入轉角監控方法，其特征在于：實施步驟S1時，注入離子為P型離子。

5.如權利要求4所述的離子注入轉角監控方法，其特征在于：實施步驟S1時，注入能量為大于等于預設能量閾值，劑量為大于等于預設劑量閾值。

6.如權利要求5所述的離子注入轉角監控方法，其特征在于：預設能量閾值為50KeV，預設劑量閾值為1x10⁴離子/cm²。

7.如權利要求5所述的離子注入轉角監控方法，其特征在于：實施步驟S1時，預設角度為35.3°。

8.如權利要求6所述的離子注入轉角監控方法，其特征在于：實施步驟S1時，預設轉角為356°、358°、0°、2°和4°。

9.一種離子注入機，用于半導體器件離子注入制造工藝，其特征在于：該離子注入機采用以下方式對其離子注入轉角進行監控；

依次連續對五硅片執行預設角度相同，預設轉角不同的離子注入；

測量獲得各硅片的熱波值；

以注入轉角作為橫坐標，熱波值作為縱坐標，將測得的各硅片注入轉角和熱波值形成V曲線；

若V曲線符合設計標準，則執行生產作業；

若V曲線不符合設計標準，則離子注入機進行角度校準后再依次連續對五片硅片執行上述設計標準判斷。

10.如權利要求9所述的離子注入機，其特征在于：所述離子注入機是Varian高電流及中電流離子注入機。

11.如權利要求9所述的離子注入機，其特征在于：所述硅片是高精度硅片(accuracywafer)。

12.如權利要求11所述的離子注入機，其特征在于：注入離子為P型離子。

13.如權利要求12所述的離子注入機，其特征在于：對硅片執行離子注入時，注入能量為大于等于預設能量閾值，劑量為大于等于預設劑量閾值。

14.如權利要求13所述的離子注入機，其特征在于：預設能量閾值為50KeV，預設劑量閾值為1x10⁴離子/cm²。

15.如權利要求13所述的離子注入機，其特征在于：所述預設角度為35.3°。

16.如權利要求15所述的離子注入機，其特征在于：對連續五張硅片進行離子注入時，所述預設轉角為356°、358°、0°、2°和4°。