[發明專利]一種抑制雜散電感的三電平層疊母排

有效

• 申請號: 201910693887.X
• 申請日: 2019-07-30
• 公開（公告）號: CN110474518B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 侯凱;俞普德;何安然;王后生;余謙;陳杰;劉良;蔣應偉
• 申請（專利權）人: 國電南瑞科技股份有限公司;國電南瑞南京控制系統有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H05K7/20
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種抑制雜散電感的三電平層疊母排，其特征在于，包括A,B,C三相功率模組(1)和直流支撐電容模塊(2)；

A,B,C三相功率模組(1)包括框架(9)，框架(9)內部設有功率模塊層疊母排(6)，功率模塊層疊母排(6)交流側從左到右依次設有IGBT功率模塊(3)、IGBT驅動板(5)、交流輸出銅排(8)、吸收電容(7)，IGBT功率模塊(3)連接IGBT驅動板(5)、吸收電容(7)、交流輸出銅排(8)；

A,B,C三相功率模組(1)的功率模塊層疊母排(6)分別連接直流正極P、中極O和負極N，與IGBT的對應端子連接；

直流支撐電容模塊(2)包括支撐電容層疊母排(12)，支撐電容層疊母排(12)上設置直流支撐電容(10)，以支撐電容層疊母排(12)垂直中心線為軸，直流支撐電容(10)采用極性相反的方式相連；

直流支撐電容(10)采用先并聯再串聯的形式，利用串聯連接產生中極O；直流支撐電容模塊(2)的支撐電容層疊母排(12)分別連接直流正極P、中極O和負極N，與直流支撐電容(10)的對應極性連接；

功率模塊層疊母排(6)的直流側為L型設計，與支撐電容層疊母排(12)直接貼合相連；

功率模塊層疊母排直流側采用正負極路徑長度對稱設計，IGBT的正極到直流支撐電容層疊母排與功率模塊層疊母排連接處的正極P端子的長度，與IGBT的負極到直流支撐電容層疊母排與功率模塊層疊母排連接處的負極N端子的長度相同；

直流支撐電容采用分散式設計，直流支撐電容的所有電容的正極到與功率模塊層疊母排連接處的正極P端子總路徑長度與所有電容的負極到與功率模塊層疊母排連接處的負極N端子總路徑長度相同。

2.根據權利要求1所述的抑制雜散電感的三電平層疊母排，其特征在于，框架(9)內部底部還設有風冷散熱器(4)。

3.根據權利要求1所述的抑制雜散電感的三電平層疊母排，其特征在于，功率模塊層疊母排(6)上還包括驅動線，驅動線利用扎線帶綁定通過框架(9)的二次線槽。

4.根據權利要求1所述的抑制雜散電感的三電平層疊母排，其特征在于，直流支撐電容模塊(2)還包括直流輸入端口(13)和采樣端口(14)。

5.根據權利要求1所述的抑制雜散電感的三電平層疊母排，其特征在于，直流支撐電容采用分散式設計，直流支撐電容的所有電容的中性極O到與功率模塊層疊母排連接處的中性極O端子總路徑長度路徑最短。