[發明專利]一種高晶界密度MoO3 有效
| 申請號： | 201910692722.0 | 申請日： | 2019-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN110482607B | 公開（公告）日： | 2021-01-29 |
| 發明（設計）人： | 王梁炳;解楊岑子;謝子鋮;侯婷婷 | 申請（專利權）人： | 中南大學 |
| 主分類號： | B01J23/28 | 分類號： | B01J23/28;C01G39/02;C07C51/235;C07C63/06;C07C65/21;C07C63/70;C07C53/02 |
| 代理公司： | 長沙市融智專利事務所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 盛武生;魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高晶界 密度 moo base sub | ||
1.一種高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，將其用作芳伯醇氧化制備芳基甲酸的催化劑；
所述的高晶界密度MoO3納米晶的晶界密度不低于30,000m/mg。
2.如權利要求1所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，所述的高晶界密度MoO3納米晶的晶界密度不低于100,000m/mg。
3.如權利要求1所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，所述的高晶界密度MoO3納米晶的晶界密度不低于200,000m/mg。
4.如權利要求1所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，所述的高晶界密度MoO3納米晶的晶界密度為230,000～300,000m/mg。
5.如權利要求1所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，所述的高晶界密度MoO3納米晶由多孔Mo在450-550℃的溫度下氧化燒結得到。
6.如權利要求5所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，所述的多孔Mo由Mo-A合金經選擇性脫除金屬A后得到；所述的A為可酸蝕的金屬元素。
7.如權利要求6所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，所述的A為Fe元素。
8.如權利要求6所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，Mo-A合金中，Mo的含量為40-50％。
9.如權利要求6所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，酸蝕過程的酸為無機強酸。
10.如權利要求9所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，酸蝕過程的酸為硫酸。
11.如權利要求6所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，酸蝕過程的溫度為140-155℃。
12.如權利要求5所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，氧化焙燒過程在含氧氣氛下進行。
13.如權利要求12所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，所述的含氧氣氛為氧氣、空氣、或者空氣與保護氣的混合氣體。
14.如權利要求5所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，氧化焙燒過程的時間為0.8-1.2h。
15.如權利要求1～14任一項所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，所述的芳伯醇為具有式1結構式的化合物；
Ar-CH2OH式1
所述的Ar為芳香基團。
16.如權利要求15所述的高晶界密度MoO3納米晶的應用，其特征在于，Ar為苯環、五元芳雜環、六元芳雜環、或者由苯環、五元芳雜環、六元芳雜環中的兩個及以上的芳香環并合形成稠環芳基；
所述的苯環、五元芳雜環、六元芳雜環、稠環芳基的芳香環上允許帶有取代基，所述的取代基為供電子取代基或吸電子取代基。
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