[發明專利]電路板的除膠方法

有效

• 申請號: 201910691346.3
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN112312659B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 鄒雪云;林文乾
• 申請（專利權）人: 慶鼎精密電子（淮安）有限公司;鵬鼎控股（深圳）股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K3/02;H05K3/26;H05K3/38
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 彭輝劍;龔慧惠

1.一種電路板的除膠方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供覆銅基板，所述覆銅基板包括一基材層及設置于所述基材層的第一銅層，所述第一銅層朝向所述基材層的表面包含多個第一銅齒，所述基材層朝向所述第一銅層的表面對應包含多個絕緣齒，所述絕緣齒與所述第一銅齒相嚙合，所述覆銅基板中包含盲孔，所述絕緣齒形成于所述盲孔的底部，其中，所述第一銅齒包括朝向所述基材層的第一銅齒區及遠離所述基材層的第二銅齒區，所述絕緣齒包括第一絕緣齒區、第二絕緣齒區和第三絕緣齒區，所述第二絕緣齒區位于所述絕緣齒兩側的所述第一銅齒區的表面，所述第三絕緣齒區位于所述絕緣齒兩側的所述第二銅齒區的表面，所述第一絕緣齒區位于所述第二絕緣齒區之間；

去除所述第一絕緣齒區；

去除所述第二絕緣齒區以暴露所述第一銅齒區；

去除所述第一銅齒區；

去除所述第三絕緣齒區以暴露所述第二銅齒區；以及

去除所述第二銅齒區。

2.根據權利要求1所述的電路板的除膠方法，其特征在于，所述盲孔是通過激光燒蝕去除部分所述基材層而形成。

3.根據權利要求1所述的電路板的除膠方法，其特征在于，通過等離子體清洗去除所述第一絕緣齒區。

4.根據權利要求3所述的電路板的除膠方法，其特征在于，所述等離子體清洗包括以下步驟：

通入氮氣和氧氣進行第一次等離子體清洗；

通入氮氣、氧氣及四氟化碳進行第二次等離子體清洗；

通入氧氣進行第三次等離子體清洗；

通入氫氬混合氣進行第四次等離子體清洗。

5.根據權利要求4所述的電路板的除膠方法，其特征在于，所述第一次等離子體清洗的溫度為25℃-35℃，清洗時間為250s-350s；

所述第二次等離子體清洗的溫度為0-5℃，清洗時間為900s-1000s；

所述第三次等離子體清洗的溫度為0-5℃，清洗時間為150s-250s；

所述第四次等離子體清洗的溫度為0-5℃，清洗時間為1100s-1300s。

6.根據權利要求1所述的電路板的除膠方法，其特征在于，所述覆銅基板還包括位于所述盲孔底部的膠渣，所述膠渣通過等離子體清洗去除。

7.根據權利要求1所述的電路板的除膠方法，其特征在于，通過孔制作液去除所述第二絕緣齒區及所述第三絕緣齒區；所述孔制作液包括濃度為45g/L-60g/L的高錳酸根離子，所述孔制作液的溫度為70℃-90℃，去除時間為6min-10min。

8.根據權利要求1所述的電路板的除膠方法，其特征在于，通過第二微蝕液去除所述第一銅齒區及所述第二銅齒區。

9.根據權利要求8所述的電路板的除膠方法，其特征在于，所述第二微蝕液中包括濃度為80g/L-120g/L的過硫酸鈉，所述第二微蝕液的溫度為25℃-35℃，去除時間為1.5min-2.5min。

10.根據權利要求1所述的電路板的除膠方法，其特征在于，所述覆銅基板還包括設置于所述第一銅層且背離所述基材層的氧化層，通過第一微蝕液去除所述氧化層；所述第一微蝕液中包括硫酸及過氧化氫，所述第一微蝕液的濃度為1.75％-3.75％，所述第一微蝕液的溫度為27℃-33℃，去除時間為30s-50s。