[發明專利]一種吸附裝置、曝光臺、光刻設備及吸附方法

在審

• 申請號: 201910691314.3
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN112309947A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 蔡晨;王鑫鑫
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備(集團)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;G03F7/20
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本發明屬于光刻技術領域，具體公開了一種吸附裝置、曝光裝置、光刻設備及吸附方法。吸附裝置包括：吸盤，吸盤的基底吸附面環繞其中心開設有安裝凹槽，且基底吸附面于安裝凹槽的內側開設有用于與真空源連通的吸附凹槽；密封圈，其下端密封設置在安裝凹槽內，其上端用于與基底接觸；當密封圈未與基底接觸時，密封圈的上端凸出吸附面，當吸附凹槽處于真空狀態時，密封圈完全位于安裝凹槽內，且密封圈的上端與基底吸附面平齊。曝光裝置包括上述吸附裝置，光刻設備包括上述曝光裝置，吸附方法應用于上述吸附裝置對基底進行吸附。本發明公開的吸附裝置、曝光裝、光刻設備和吸附方法能夠提高對翹曲基底的吸附能力，提高曝光穩定性和光刻質量。

技術領域

本發明涉及光刻技術領域，尤其涉及一種吸附裝置、曝光臺、光刻設備及吸附方法。

背景技術

在光刻中，曝光臺用于將掩模板上的電路圖形經過光學投影系統進行投影曝光，使電路圖形以一定放大或縮小的倍率投影于制造集成電路的硅片上。在曝光進行之前，通常采用交接機構對硅片進行吸取并放置在曝光臺的吸盤上，使吸盤對硅片進行真空吸附，以使硅片固定在在曝光臺上，以防止硅片在曝光過程中產生移動。

隨著集成電路制造行業技術的不斷發展，硅片處理工藝多種多樣，使得經常會有硅片產生較大的翹曲變形。采用常規的吸盤進行翹曲硅片的吸附時，由于硅片的翹曲導致在剛性吸附面上不能形成一個封閉的真空吸附腔，使吸盤難以對硅片進行有效吸附，從而影響硅片曝光的穩定性和曝光的質量。

發明內容

本發明的目的在于提供一種吸附裝置，提高吸附裝置對翹曲基底的吸附能力，提高基底吸附穩定性和可靠性。

本發明的又一目的在于提供一種曝光臺，提高基底曝光穩定性和基底曝光質量。

本發明的另一目的在于提供一種光刻機，提高光刻穩定性和光刻質量。

本發明的再一目的在于提供一種吸附方法，提高對翹曲基底的吸附能力，提高基底吸附穩定性和可靠性。

為實現上述目的，本發明采用下述技術方案：

一種吸附裝置，包括：

吸盤，所述吸盤的基底吸附面環繞其中心開設有安裝凹槽，且所述基底吸附面于所述安裝凹槽的內側開設有用于與真空源連通的吸附凹槽；

密封圈，其下端密封設置在所述安裝凹槽內，其上端用于與基底接觸；

當所述密封圈未與所述基底接觸時，所述密封圈的上端凸出所述吸附面，當所述吸附凹槽處于真空狀態時，所述密封圈完全位于所述安裝凹槽內，且所述密封圈的上端與所述基底吸附面平齊。

作為一種吸附裝置的優選方法，所述吸盤于所述安裝凹槽的內側開設有吸附孔，所述吸附孔沿所述吸盤的厚度方向貫通所述吸盤，所述吸附裝置還包括交接機構，所述交接機構包括：

吸附組件，其與所述基底吸附面垂直，所述吸附組件的下端位于所述吸盤下側，所述吸附組件的上端能穿過并密封所述吸附孔，且所述吸附組件能相對所述吸盤沿垂直于所述吸盤的方向運動，所述吸附組件內開設有真空氣道，所述真空氣道貫穿所述吸附組件的上端面以吸附所述基底。

作為一種吸附裝置的優選方法，所述吸附組件包括：

吸附柱，其與所述基底吸附面垂直，所述吸附柱的上端能伸入所述吸附孔中并能相對所述吸附孔沿垂直于所述基底吸附面的方向運動，所述吸附柱內開設有所述真空氣道，所述真空氣道的上端貫穿所述吸附柱的上端面，所述真空氣道與真空源連通；

吸嘴，設置在所述吸附柱的上端且與所述真空氣道連通，所述吸嘴的外表面能與所述吸附孔的內壁密封貼合，且所述吸嘴的上端高于所述吸附柱的上端面。