[發明專利]IPM驅動互鎖的保護電路

在審

• 申請號: 201910690147.0
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN110311669A
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 賀小林;王曉波;黃銀彬;史歐陽
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003;H03K19/082
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 廉振保

本發明提供了一種IPM驅動互鎖的保護電路，包括：IPM電路模塊；中央控制器，通過互鎖保護電路與所述IPM電路模塊相連，用于通過所述互鎖保護電路向所述IPM電路模塊輸入控制信號，以控制所述IPM電路模塊中IGBT的通斷。通過上述方案使得在存在控制信號的情況下，IPM電路模塊中的IGBT可以迅速放電，以達到保護IPM和負載的目的。

技術領域

本發明涉及電路控制技術領域，具體而言，涉及一種IPM驅動互鎖的保護電路。

背景技術

由于智能功率模塊(Intelligent Power Module，簡稱為IPM)具有GTR和MOSFET共有的優點，使得IPM被廣泛應用于各種各樣的電路設計當中。然而，IPM模塊價格昂貴，如果由于電路設計不當導致IPM模塊燒毀或者其它器件損壞，那么將導致很大的損失。

為此，現有的提供了基于三極管的智能功率模塊的驅動互鎖電路，然而現有的驅動互鎖電路存在一定的風險，一是由于IPM內部的IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)存在寄生電容，所以在關斷IGBT時會出現反飽和現象，如果電路不加以處理，那么有可能會導致IGBT持續導通一段時間，二是該電路沒有對MCU(Microcontroller Unit，微控制單元)有較好的保護，當有浪涌時，有可能會對MCU產生強烈的沖擊，導致MCU損壞。

針對上述問題，目前尚未提出有效的解決方案。

發明內容

本發明實施例提供了一種IPM驅動互鎖的保護電路，以達到及時切斷電路以實現對智能功率模塊進行保護的目的。

一方面，提供了一種IPM驅動互鎖的保護電路，包括：

IPM電路模塊；

中央控制器，通過互鎖保護電路與所述IPM電路模塊相連，用于通過所述互鎖保護電路向所述IPM電路模塊輸入控制信號，以控制所述IPM電路模塊中IGBT的通斷。

在一個實施方式中，所述互鎖保護電路包括：第一輸入端，第一保護二極管、第一電阻、第二電阻、第一三極管，其中：

所述第一輸入端一側與所述中央控制器相連，用于接收控制信號；

所述第一輸入端的另一側與所述第一保護二極管的輸入端相連；

所述第一保護二極管的輸出端與所述第一電阻的第一端相連；

所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端和所述第一三極管的基極相連，所述第二電阻的第二端與所述第一三極管的發射極相連，所述第一三極管的集電極與所述IPM電路模塊的輸入引腳相連。

在一個實施方式中，所述第一三極管為PNP三極管。

在一個實施方式中，所述IPM電路模塊的輸入引腳包括：所述IPM電路模塊中上橋的輸入引腳和所述IPM電路模塊中下橋的輸入引腳。

在一個實施方式中，所述IPM電路模塊中上橋的輸入引腳通過第二保護二極管與所述IPM電路模塊中上橋的第三電阻相連。

在一個實施方式中，所述IPM電路模塊中下橋的輸入引腳通過第三保護二極管與所述IPM電路模塊中下橋的第四電阻相連。

在一個實施方式中，所述IPM電路模塊中的IGBT包括：所述IPM電路模塊中的上橋的IGBT和所述IPM電路模塊中下橋的IGBT。

在一個實施方式中，所述IPM電路模塊中的上橋中的IGBT的三極管為PNP三極管。

在一個實施方式中，所述IPM電路模塊中的下橋中的IGBT的三極管為NPN三極管。

在一個實施方式中，所述中央控制器輸出的控制信號為PWM信號。