[發明專利]多層材料異質柵介質層柔性硅薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201910688302.5
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN110459605A
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 秦國軒;裴智慧
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 12201 天津市北洋有限責任專利代理事務所
• 代理人: 劉國威<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種多層材料異質柵介質層柔性硅薄膜晶體管制造方法，其特征是，采用磁控濺射工藝在柔性、可延性塑料或薄金屬基板襯底上形成氧化銦錫ITO底柵電極以及TATAT柵介質膜，TATAT柵介質膜為TiO₂/Al₂O₃/TiO₂/Al₂O₃/TiO₂，隨后在SOI上采用光刻工藝形成摻雜區圖案以及離子注入的方式形成摻雜區，采用光刻以及離子刻蝕的方式形成方孔層，采用濕法HF刻蝕的方式形成硅納米膜層，通過轉移技術將硅納米薄膜轉移到PET襯底上，最后通過光刻以及真空電子束蒸鍍的方式在硅納米薄膜摻雜區上形成源漏電極，這樣就完成了晶體管的制備。

2.如權利要求1所述的多層材料異質柵介質層柔性硅薄膜晶體管制造方法，其特征是，具體步驟細化如下：

a、選用PET柔性材料作為襯底，首先將PET放進盛有丙酮溶液的燒杯中，然后在超聲波清洗器中清洗5分鐘，隨后使用異丙醇溶液將用丙酮清洗過的PET在超聲波清洗器中將丙酮清洗干凈，得到較為清潔的襯底；

b、采用磁控濺射在PET襯底上鍍200nm厚ITO膜以及50nm厚TATAT，每層均為10nm，作為底部介質柵層膜；

c、選用SOI材料，在超聲波清洗器中采用丙酮進行清洗，隨后采用異丙醇洗凈丙酮殘留物，吹干SOI；

d、在SOI表面涂上1813正型光刻膠，并使用勻膠機，設置轉速為4000rpm，轉動時間為30s，將光刻膠甩均勻，隨后使用光刻機以及制作好的掩膜版進行光刻形成特定的摻雜區圖案，隨后采用離子注入的方式進行N型注入，參數為注入能量為40Kev，劑量為4*10¹⁵cm^-2，產生源漏摻雜區，在750℃的溫度條件下，快速熱退火10s之后，在丙酮溶液中除去光刻膠；

e、按照掩膜版上做好的標記，將源漏摻雜區與掩膜板上間距5um排列的正方形孔層進行對準光刻，顯影后在SOI上形成間距5um排列的正方形小孔層，隨后采用離子刻蝕的方式將正方形小孔上的硅去除；

f、在3:1的氫氟酸溶液中，放入之前做好的SOI，兩小時后SOI上的埋氧層將被腐蝕干凈，隨后硅納米膜層將脫落，將硅納米膜層轉移到已經鍍好ITO和柵介質層的柔性PET襯底之上，烘干；

g、在轉移到PET上的硅納米膜上涂膠，對準光刻，形成源漏電極的光刻圖案，采用真空電子束蒸鍍的方式形成100nm的金屬源漏電極層，去膠之后，器件的制備完成。

3.如權利要求1所述的多層材料異質柵介質層柔性硅薄膜晶體管制造方法，其特征是，多層材料異質柵介質層柔性硅薄膜晶體管，采用磁控濺射工藝在柔性、可延性塑料或薄金屬基板襯底上形成有氧化銦錫ITO底柵電極以及TATAT柵介質膜，TATAT柵介質膜為TiO₂/Al₂O₃/TiO₂/Al₂O₃/TiO₂，TATAT柵介質膜上為硅納米膜層，通過光刻以及真空電子束蒸鍍的方式在硅納米薄膜摻雜區上形成源漏電極。