[發明專利]一種具有雙離化室的離子源

在審

• 申請號: 201910688082.6
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN110379698A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 陳張發
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01J37/08
• 分類號: H01J37/08;H01J37/317
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;馬盼

1.一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，包括第一離化室、第一吸極、第二離化室、第二吸極和抑制極；其中第一吸極位于第一離化室和第二離化室中間，第二吸極位于第二離化室和抑制極之間；

所述第一吸極的電壓低于第一離化室的電壓，所述第二離化室的電壓高于第一吸極和第二吸極的電壓，所述抑制極接地；

氣體輸入至第一離化室被離化為初步等離子體，所述初步等離子體被第一吸極吸出并傳輸至第二離化室，所述初步等離子體在第二離化室中被離化為多價等離子體，所述多價等離子體被第二吸極吸出并傳輸至抑制極。

2.根據權利要求1所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第二離化室的電壓高于所述第一離化室的電壓。

3.根據權利要求1所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第一離化室包括上極板Ⅰ、下極板Ⅰ和磁場產生器Ⅰ，所述氣體輸入至第一離化室中，與所述上極板Ⅰ和下極板Ⅰ之間的電子碰撞，離化成初步等離子體。

4.根據權利要求3所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第一離化室中離化電壓為30-200V，離化電流為0.1-20A，磁場產生器Ⅰ產生的磁場電流為0.1-20A。

5.根據權利要求3所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述下極板Ⅰ為燈絲結構。

6.根據權利要求5所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述上極板Ⅰ為燈絲結構或反射極板結構。

7.根據權利要求1所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第二離化室包括上極板Ⅱ、下極板Ⅱ和磁場產生器Ⅱ，所述初步等離子體與所述上極板Ⅱ和下極板Ⅱ之間的電子碰撞，離化成多價等離子體。

8.根據權利要求7所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第二離化室中離化電壓為30-200V，離化電流為0.1-20A，磁場產生器Ⅱ產生的磁場電流為0.1-20A。

9.根據權利要求7所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述下極板Ⅱ為燈絲結構。

10.根據權利要求9所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述上極板Ⅱ為燈絲結構或反射極板結構或相對于下極板為正壓的極板。