[發明專利]有機發光二極管顯示器在審
| 申請號: | 201910683668.3 | 申請日: | 2019-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN110911441A | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 李現范;周振豪 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李強;李靜波 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器,其中,所述有機發光二極管顯示器包括:
基底,所述基底包括顯示區和非顯示區;
像素電路,所述像素電路設置在所述顯示區中;
有機發光二極管和障壁,所述有機發光二極管和所述障壁設置在所述像素電路上;
封裝層,所述封裝層覆蓋所述像素電路、所述有機發光二極管以及所述障壁;以及
濾色器,所述濾色器設置在所述封裝層上,
其中,所述封裝層包括:邊緣區,在所述顯示區中,所述邊緣區與所述非顯示區相鄰;和中央區,所述中央區不與所述非顯示區直接相鄰并且所述邊緣區設置在所述中央區和所述非顯示區之間,
所述濾色器包括第一濾色器、第二濾色器、第三濾色器以及其中所述第一濾色器、所述第二濾色器以及所述第三濾色器重疊的重疊部,并且
所述重疊部設置在其中設有所述障壁的區域中,并且所述濾色器的厚度在所述邊緣區中比在所述中央區中大。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述有機發光二極管包括有機發射層,并且
在所述中央區中的從所述有機發射層的頂表面至所述濾色器的所述重疊部的最頂部的距離與在所述邊緣區中的從所述有機發射層的所述頂表面至所述濾色器的所述重疊部的所述最頂部的距離之間的差小于在所述中央區中的從所述有機發射層的所述頂表面至所述濾色器的所述重疊部的所述最頂部的所述距離的7%。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其中,
所述邊緣區圍繞所述中央區,
所述中央區中的所述封裝層的厚度大于所述邊緣區中的所述封裝層的厚度,并且
所述邊緣區中的所述封裝層的厚度小于所述中央區中的所述封裝層的最大厚度的90%。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,在所述中央區中的從所述基底至所述重疊部的頂表面的距離與在所述邊緣區中的從所述基底至所述重疊部的所述頂表面的距離之間的差小于在所述中央區中的從所述基底至所述重疊部的所述頂表面的所述距離的5%。
5.一種有機發光二極管顯示器,其中,所述有機發光二極管顯示器包括:
基底,所述基底包括顯示區和非顯示區;
像素電路,所述像素電路設置在所述顯示區中;
有機發光二極管和障壁,所述有機發光二極管和所述障壁設置在所述像素電路上;
封裝層,所述封裝層覆蓋所述像素電路、所述有機發光二極管以及所述障壁;
觸摸感測層,所述觸摸感測層設置在所述封裝層上;以及
濾色器,所述濾色器設置在所述觸摸感測層上,
其中,所述封裝層包括:邊緣區,在所述顯示區中,所述邊緣區與所述非顯示區相鄰;和中央區,所述中央區不與所述非顯示區直接相鄰并且所述邊緣區設置在所述中央區和所述非顯示區之間,
所述觸摸感測層包括平坦化層和觸摸電極,
所述平坦化層的厚度在所述邊緣區中比在所述中央區中大,并且
所述濾色器包括第一濾色器、第二濾色器、第三濾色器以及其中所述第一濾色器、所述第二濾色器以及所述第三濾色器重疊的重疊部。
6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述有機發光二極管包括有機發射層,并且
在所述中央區中的從所述有機發射層的頂表面至所述濾色器的所述重疊部的最頂部的距離與在所述邊緣區中的從所述有機發射層的所述頂表面至所述濾色器的所述重疊部的所述最頂部的距離之間的差小于在所述中央區中的從所述有機發射層的所述頂表面至所述濾色器的所述重疊部的所述最頂部的所述距離的7%。
7.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述觸摸感測層還包括無機絕緣層,
所述觸摸電極包括第一觸摸電極和第二觸摸電極,
所述第一觸摸電極和所述第二觸摸電極各自包括多個單元電極線,
所述第一觸摸電極包括沿著第一方向布置的多個第一觸摸單元和連接所述多個第一觸摸單元的多個第一連接部,并且
所述第二觸摸電極包括沿著與所述第一方向交叉的第二方向布置的多個第二觸摸單元和連接所述多個第二觸摸單元的多個第二連接部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





