[發明專利]源極驅動器中的控制緩沖器和顯示面板的源極驅動器在審
| 申請號: | 201910681946.1 | 申請日: | 2019-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN110784206A | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發明(設計)人: | 成殷圭;金亨奎 | 申請(專利權)人: | 美格納半導體有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175;H03K19/0185;H03K19/003;G09G3/20 |
| 代理公司: | 11227 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 唐京橋;劉燁 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制緩沖器 緩沖器 驅動器 三態反相器 源極驅動器 尺寸調整 調整控制 開關信號 輸出開關 關斷 配置 種源 接通 轉換 | ||
1.一種源極驅動器中的控制緩沖器,所述控制緩沖器包括:
第一CMOS反相器,其被配置成輸出開關信號以控制開關的接通和關斷;以及
第一三態反相器,其連接到所述第一CMOS反相器并被配置成選擇性地調整所述控制緩沖器的尺寸,
其中,所述源極驅動器根據所述控制緩沖器的尺寸調整所述開關信號的轉換速率。
2.根據權利要求1所述的控制緩沖器,其中,所述第一CMOS反相器包括:
輸入線,其被配置成接收第一控制信號;
輸出線,其被配置成輸出所述開關信號;以及
第一PMOS晶體管和第一NMOS晶體管,其中,所述第一PMOS晶體管和第一NMOS晶體管中的每一個包括共同連接到所述輸入線的柵極和共同連接到所述輸出線的漏極,
其中,所述第一CMOS反相器被配置成對從所述輸入線接收的第一控制信號進行反相并被配置成將反相的第一控制信號輸出到所述輸出線作為所述開關信號。
3.根據權利要求2所述的控制緩沖器,其中,所述第一PMOS晶體管和所述第一NMOS晶體管均是1/4尺寸的晶體管。
4.根據權利要求3所述的控制緩沖器,其中,根據第二控制信號的狀態,
所述第一三態反相器被配置成:操作為對從所述輸入線接收的第一控制信號進行反相并將反相的第一控制信號輸出到所述第一CMOS反相器的輸出線的反相器,或者
無論所述第一控制信號如何,所述第一三態反相器都被置于高阻抗狀態并被配置成不將信號輸出到所述輸出線。
5.根據權利要求4所述的控制緩沖器,其中,響應于所述第一三態反相器操作為對從所述輸入線接收的第一控制信號進行反相并將反相的第一控制信號輸出到所述第一CMOS反相器的輸出線的反相器,所述控制緩沖器的尺寸增加。
6.根據權利要求4所述的控制緩沖器,其中,所述第一三態反相器包括:
第二NMOS晶體管,其包括被配置成接收所述第二控制信號的柵極;
第二PMOS晶體管,其包括被配置成接收所述第二控制信號的互補信號的柵極;以及
第三PMOS晶體管和第三NMOS晶體管,其中,所述第三PMOS晶體管和第三NMOS晶體管中的每一個包括共同連接到所述輸入線的柵極和共同連接到所述輸出線的漏極,
其中,所述第二PMOS晶體管的漏極連接到所述第三PMOS晶體管的源極,并且
所述第二NMOS晶體管的漏極連接到所述第三NMOS晶體管的源極。
7.根據權利要求6所述的控制緩沖器,其中,所述第三PMOS晶體管和所述第三NMOS晶體管均是3/4尺寸的晶體管。
8.根據權利要求1所述的控制緩沖器,還包括:
第二CMOS反相器,其被配置成對所述開關信號進行反相以輸出所述開關信號的互補信號;以及
第二三態反相器,其連接到所述第二CMOS反相器并被配置成選擇性地調整所述控制緩沖器的尺寸,
其中,所述源極驅動器根據所述控制緩沖器的尺寸調整所述開關信號的互補信號的轉換速率。
9.根據權利要求8所述的控制緩沖器,其中,所述開關包括并聯連接的PMOS晶體管和NMOS晶體管,
所述PMOS晶體管的柵極被配置成接收所述開關信號的互補信號,并且
所述NMOS晶體管的柵極被配置成接收所述開關信號。
10.一種源極驅動器中的控制緩沖器,所述控制緩沖器包括:
多個CMOS反相器,其被配置成輸出開關信號以控制由所述控制緩沖器控制的開關的接通和關斷;以及
多個三態反相器,所述三態反相器中的每一個分別連接到所述CMOS反相器中的每一個并且根據所述三態反相器中的每一個的狀態選擇性地調整所述控制緩沖器的尺寸,
其中,所述源極驅動器根據所述控制緩沖器的尺寸調整所述開關信號的轉換速率。
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