[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910680884.2 | 申請日: | 2019-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN110265583B | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丁望;萬晨星;鄒富偉 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 張靜堯 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,能夠使發(fā)光功能層在隔離區(qū)斷開,避免水汽和氧氣從開孔區(qū)的開口進(jìn)入像素區(qū)中。其中的顯示面板具有顯示區(qū),顯示區(qū)包括像素區(qū)、開孔區(qū)、以及位于像素區(qū)和開孔區(qū)之間的隔離區(qū),隔離區(qū)圍繞開孔區(qū)一圈設(shè)置;像素區(qū)設(shè)置有位于襯底上的發(fā)光功能層;隔離區(qū)中設(shè)置有位于襯底上與發(fā)光功能層同一側(cè)的至少一個隔離柱,隔離柱圍繞開孔區(qū)一圈設(shè)置,且隔離柱的縱截面呈工字形;在隔離柱靠近襯底的下表面一側(cè),隔離柱周圍設(shè)置有第一凹槽;發(fā)光功能層延伸至隔離區(qū)的部分,在隔離柱的側(cè)面斷開。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管),是一種利用有機(jī)半導(dǎo)體材料和發(fā)光材料在電流驅(qū)動下而達(dá)到發(fā)光并實(shí)現(xiàn)顯示的技術(shù)。OLED相比LCD(LiquidCrystal Display,液晶顯示器)有許多優(yōu)勢:超輕、超薄(厚度可低于1mm)、亮度高、可視角度大(可達(dá)170度)、由像素本身發(fā)光而不需要背光源,功耗低、響應(yīng)速度快(約為LCD速度的1000倍)、清晰度高、發(fā)熱量低、抗震性能優(yōu)異、制造成本低、可彎曲。OLED比LCD更能夠展示完美的視頻,再加上耗電量小,可作為移動電話、數(shù)碼電視等產(chǎn)品的顯示屏,因此被業(yè)界公認(rèn)為是最具發(fā)展前景的下一代顯示技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,能夠使發(fā)光功能層在隔離區(qū)斷開,避免水汽和氧氣從開孔區(qū)的開口進(jìn)入像素區(qū)中。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
一方面,提供一種顯示面板,具有顯示區(qū),所述顯示區(qū)包括像素區(qū)、開孔區(qū)、以及位于所述像素區(qū)和所述開孔區(qū)之間的隔離區(qū),所述隔離區(qū)圍繞所述開孔區(qū)一圈設(shè)置。
所述像素區(qū)設(shè)置有位于襯底上的發(fā)光功能層。
所述隔離區(qū)中設(shè)置有位于所述襯底上與所述發(fā)光功能層同一側(cè)的至少一個隔離柱,所述隔離柱圍繞所述開孔區(qū)一圈設(shè)置,且所述隔離柱的縱截面呈工字形;在所述隔離柱靠近所述襯底的下表面一側(cè),所述隔離柱周圍設(shè)置有第一凹槽。
所述發(fā)光功能層延伸至所述隔離區(qū)的部分,在所述隔離柱的側(cè)面斷開。
可選的,上述的顯示面板還包括設(shè)置于所述隔離柱遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的保護(hù)圖案;所述保護(hù)圖案在所述襯底上的正投影覆蓋所述隔離柱在所述襯底上的正投影。
可選的,所述保護(hù)圖案的厚度為10nm~100nm。
可選的,沿所述襯底厚度方向,所述隔離柱包括依次層疊的第一隔離部、第二隔離部和第三隔離部,所述第二隔離部的各側(cè)面相對于所述第一隔離部和所述第三隔離部均向內(nèi)縮進(jìn)。
所述第一隔離部和所述第三隔離部的材料相同,所述第二隔離部與所述第一隔離部和所述第三隔離部的材料不同,且所述第二隔離部的材料的刻蝕速率大于所述第一隔離部和所述第三隔離部的材料的刻蝕速率。
可選的,所述像素區(qū)在所述襯底與所述發(fā)光功能層之間還設(shè)置有驅(qū)動電路,所述驅(qū)動電路包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極。
所述第一隔離部、所述第二隔離部和所述第三隔離部中的至少一者,與所述柵極或所述源極和漏極同層同材料。
可選的,所述薄膜晶體管還包括有源層和柵絕緣層;所述有源層、所述柵絕緣層、所述柵極、所述源極和所述漏極沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向依次設(shè)置;所述源極和所述漏極通過層間絕緣層上的過孔與所述有源層接觸。
所述隔離柱設(shè)置于所述層間絕緣層的表面,且所述第一凹槽位于所述層間絕緣層上。
所述隔離柱與所述源極和所述漏極同層同材料。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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