[發明專利]一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法有效
| 申請號： | 201910680727.1 | 申請日： | 2019-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN110718630B | 公開（公告）日： | 2023-07-25 |
| 發明（設計）人： | 張修麗;徐紅霞;汪麗莉;時志;黃志強 | 申請（專利權）人： | 上海工程技術大學 |
| 主分類號： | H10N97/00 | 分類號： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海統攝知識產權代理事務所(普通合伙) 31303 | 代理人： | 杜亞 |
| 地址： | 201620 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 薄膜 電容器 性能 方法 | ||
1.一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征是：在采用正探針尖端或負探針尖端向鐵電薄膜電容器中的薄膜施加電壓以讀寫鐵電薄膜電容器的過程中，在鐵電薄膜電容器被電壓極化后，將尖端輸入的電壓調至0V后保持一段時間，以改善鐵電薄膜電容器性能。
2.一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征是：在采用正探針尖端或負探針尖端向鐵電薄膜電容器中的薄膜施加電壓以讀寫鐵電薄膜電容器的過程中，將尖端輸入的脈沖長度縮至2ms以下，且在鐵電薄膜電容器被電壓極化后，將尖端輸入的電壓調至0V后保持一段時間，以改善鐵電薄膜電容器性能。
3.根據權利要求1或2所述的一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征在于，鐵電薄膜電容器的讀寫速度小于1μs。
4.根據權利要求1或2所述的一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征在于，正探針尖端或負探針尖端為壓電力顯微鏡的正探針尖端或負探針尖端。
5.根據權利要求1或2所述的一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征在于，鐵電薄膜電容器為有機鐵電薄膜電容器或無機鐵電薄膜電容器。
6.根據權利要求5所述的一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征在于，有機鐵電薄膜電容器為P(VDF-TrFE)聚合物薄膜電容器、尼龍-11薄膜電容器、尼龍-7膜電容器或尼龍-5膜電容器。
7.根據權利要求6所述的一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征在于，P(VDF-TrFE)聚合物薄膜電容器為由頂部電極、中間P(VDF-TrFE)聚合物薄膜和底部電極組成的“三明治”結構的電容器，P(VDF-TrFE)聚合物薄膜的厚度為60nm，底部電極為金屬Ti。
8.根據權利要求1或2所述的一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征在于，尖端輸入的脈沖為單脈沖。
9.根據權利要求1或2所述的一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征在于，尖端輸入的脈沖長度為30μs～2ms，尖端輸入的電壓絕對值為8～10V。
10.根據權利要求1或2所述的一種改善鐵電薄膜電容器性能的方法，其特征在于，一段時間為30～100s。
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