[發明專利]p型氮化鎵系半導體的制造方法及熱處理方法

在審

• 申請號: 201910677777.4
• 申請日: 2019-07-25
• 公開（公告）號: CN110867371A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: 谷村英昭;山田隆泰;加藤慎一;青山敬幸
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/324
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 陳甜甜

1.一種p型氮化鎵系半導體的制造方法，其特征在于具備：

注入工序，向氮化鎵襯底注入p型摻雜劑；及

加熱工序，在包含氮及氫的氣氛中以小于1秒的照射時間向所述襯底照射閃光，加熱所述襯底。

2.根據權利要求1所述的p型氮化鎵系半導體的制造方法，其中

所述包含氮及氫的氣氛為氨氣氛。

3.根據權利要求1所述的p型氮化鎵系半導體的制造方法，其中

所述包含氮及氫的氣氛為氮氫混合氣氛。

4.一種熱處理方法，其特征在于具備：

搬入工序，將注入有p型摻雜劑的氮化鎵襯底搬入至腔室內；

氣氛形成工序，在所述腔室內形成包含氮及氫的氣氛；及

光照射工序，以小于1秒的照射時間向所述襯底照射閃光，加熱所述襯底。

5.根據權利要求4所述的熱處理方法，其中

所述包含氮及氫的氣氛為氨氣氛。

6.根據權利要求4所述的熱處理方法，其中

所述包含氮及氫的氣氛為氮氫混合氣氛。