[發明專利]熱處理方法在審
| 申請號： | 201910676989.0 | 申請日： | 2019-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN110867370A | 公開（公告）日： | 2020-03-06 |
| 發明（設計）人： | 大森麻央;古川雅志 | 申請（專利權）人： | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號： | H01L21/26 | 分類號： | H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 陳甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熱處理 方法 | ||
1.一種熱處理方法，其特征在于：通過對基板照射光而將該基板加熱，且包括：
光照射工序，在從連續點亮燈對在腔室內保持在基座的基板進行光照射而將所述基板預加熱之后，通過來自閃光燈的閃光照射而將所述基板閃光加熱；
減壓工序，將所述腔室內的氣氛排出而將所述腔室內減壓；以及
加熱工序，在所述減壓工序之前，從所述連續點亮燈進行光照射而將所述腔室內的氣氛加熱。
2.根據權利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
所述加熱工序進而也在開始所述減壓工序之后繼續執行。
3.根據權利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
所述減壓工序及所述加熱工序于在所述腔室內所述基板保持在所述基座的狀態下執行。
4.根據權利要求3所述的熱處理方法，其特征在于，
所述減壓工序及所述加熱工序在所述光照射工序之前及之后執行。
5.根據權利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
所述減壓工序及所述加熱工序于在所述腔室內不存在基板的狀態下執行。
6.根據權利要求5所述的熱處理方法，其特征在于，
所述減壓工序及所述加熱工序在所述腔室的維護前執行。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的熱處理方法，其特征在于，
在所述加熱工序中，將所述連續點亮燈以固定電力點亮而將所述腔室內的氣氛加熱。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的熱處理方法，其特征在于，
在所述加熱工序中，基于所述腔室內的氣氛溫度或所述基座的溫度而對所述連續點亮燈的輸出進行反饋控制。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
