[發(fā)明專利]一種基于全無機(jī)鈣鈦礦薄膜的柔性多態(tài)阻變存儲器及其一步溶液法制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910676408.3 | 申請日： | 2019-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN110379921B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王紅軍;朱媛媛;程鵬偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 陜西科技大學(xué) |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 西安西達(dá)專利代理有限責(zé)任公司 61202 | 代理人： | 劉華 |
| 地址： | 710021 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 無機(jī) 鈣鈦礦 薄膜 柔性 多態(tài)阻變 存儲器 及其 一步 溶液 法制 方法 | ||
1.一種一步溶液法制備基于全無機(jī)鈣鈦礦薄膜的柔性多態(tài)阻變存儲器的方法，其特征在于，包括如下步驟：
1）選擇柔性襯底，在其上沉積厚度為80-200nm的金屬薄膜作為下電極；所述下電極為惰性金屬薄膜電極；
2）將溴化鉛和溴化銫粉末按照1mol：1mol的比例通過研磨混合均勻，以6℃/min的加熱速率在氮?dú)猸h(huán)境中，升溫到600℃，然后保持該溫度對粉末樣品進(jìn)行煅燒24h，自然冷卻后獲得CsPbBr3粉末；取0.05g的CsPbBr3粉末溶解于過量的二甲基亞砜溶液中，超聲15min，獲得沉積CsPbBr3薄膜的先驅(qū)溶液；將配置的溶液以1000-6000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂于襯底上，旋涂的時間為60s，在旋涂的最后10s，加入兩滴反溶劑溶液，所述反溶劑為氯苯；之后在氮?dú)猸h(huán)境中120℃下退火40min，自然冷卻后得到全無機(jī)鈣鈦礦薄膜，作為存儲層；
3）采用直徑為20~200μm的圓形掩模版，在無機(jī)鈣鈦礦薄膜上沉積金屬薄膜，作為上電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，下電極的主要成分為金或鉑；上電極的主要成分為金、鉑、銅或銀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，下電極的厚度為80-200nm，CsPbBr3鈣鈦礦薄膜厚度為80nm，上電極的厚度為100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，柔性材料襯底為PET、PI、或表面拋光的金屬箔。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西科技大學(xué)，未經(jīng)陜西科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910676408.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種基于熔洞狀分級多孔氧化物憶阻器
- 下一篇：一種柔性Ag/MoS
