[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 201910676386.0 | 申請日： | 2019-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN111584631A | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發明（設計）人： | 井野匡貴;加藤浩朗 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 劉英華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
第1電極；
第1導電型的第1半導體區域，設置于上述第1電極的上方，與上述第1電極電連接；
第2導電型的第2半導體區域，設置于上述第1半導體區域的上方；
第1導電型的第3半導體區域，選擇性地設置于上述第2半導體區域的上方；
柵極電極，在與從上述第1半導體區域朝向上述第2半導體區域的第2方向垂直的第1方向上，隔著柵極絕緣膜而與上述第1半導體區域的一部分、上述第2半導體區域及上述第3半導體區域對置；
第1導電層，隔著第1絕緣層而設置于上述第1半導體區域中，在上述第1導電層與上述第2半導體區域之間及上述第1導電層與上述柵極電極之間設置有上述第1半導體區域的另一部分；以及
第2電極，設置于上述第2半導體區域、上述第3半導體區域及上述柵極電極的上方，與上述第2半導體區域、上述第3半導體區域及上述第1導電層電連接。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，
上述第1導電層與上述第2半導體區域之間的上述第2方向上的距離，比上述第1導電層與上述第1電極之間的上述第2方向上的距離短。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，
上述柵極電極及上述第1導電層，沿著與上述第2方向及上述第1方向垂直的第3方向延伸，
上述第1導電層的至少一部分位于上述柵極電極的正下方。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，具備：
在上述第1方向上彼此分離的多個上述柵極電極；以及
在上述第1方向上彼此分離的多個上述第1導電層，
相鄰的上述柵極電極彼此之間的上述第1方向上的距離，比相鄰的上述第1導電層彼此之間的上述第1方向上的距離短。
5.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，具備：
在上述第1方向上彼此分離的多個上述柵極電極；以及
在與上述第2方向垂直且與上述第1方向交叉的第3方向上彼此分離的多個上述第1導電層，
相鄰的上述柵極電極彼此之間的上述第1方向上的距離，比相鄰的上述第1導電層彼此之間的上述第3方向上的距離短。
6.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，
還具備隔著第2絕緣層設置于上述第1半導體區域中的第2導電層，
上述第2導電層與上述第1導電層電連接，
上述第2導電層的上述第2方向上的長度，比上述第1導電層的上述第2方向上的長度長，
上述第2導電層與上述第2電極接觸。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，
上述第2導電層包括第1導電部分、及設置于上述第1導電部分的上方的第2導電部分，
上述第2導電部分的上述第1方向上的長度，比上述第1導電部分的上述第1方向上的長度長，
上述第2導電部分與上述第2電極接觸。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，
上述第1導電部分的上述第1方向上的長度，比上述第1導電層的上述第1方向上的長度長。
9.根據權利要求6所述的半導體裝置，
上述第2導電層的下端，與上述第1導電層的下端相比位于靠下方。
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