[發(fā)明專利]晶片工藝用垂直反應(yīng)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910674764.1
• 申請(qǐng)日: 2019-07-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110783227B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金岐俊;許官善;徐泰旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京青松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

本發(fā)明公開(kāi)了改善隔熱區(qū)域的隔熱結(jié)構(gòu)及吹掃結(jié)構(gòu)以不影響晶舟區(qū)域的晶片工藝用垂直反應(yīng)器，所述垂直反應(yīng)器包括：內(nèi)管，內(nèi)部空間由上部晶舟區(qū)域與下部隔熱區(qū)域區(qū)分，所述上部晶舟區(qū)域配置有用于晶片工藝的晶舟，所述下部隔熱區(qū)域用于隔熱，并且在所述隔熱區(qū)域形成有排氣口；隔熱芯體，垂直形成在所述隔熱區(qū)域中平面狀中央；隔熱組件，形成有插入所述隔熱芯體的垂直的中空，并且具有在所述隔熱區(qū)域中上下間隔的多個(gè)隔熱件；其中，流入所述隔熱區(qū)域的吹掃氣體經(jīng)過(guò)間隔所述多個(gè)隔熱件的排氣空間，并繞過(guò)所述隔熱芯體，引導(dǎo)至所述內(nèi)管的所述排氣口。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及反應(yīng)器，更詳細(xì)地說(shuō)涉及改善隔熱區(qū)域的隔熱結(jié)構(gòu)及吹掃結(jié)構(gòu)以不影響晶舟區(qū)域的晶片工藝用垂直反應(yīng)器。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體工藝可理解為執(zhí)行制造晶片的半導(dǎo)體制造工藝。例如，可利用反應(yīng)器(Reactor)，該反應(yīng)器利用晶舟，以進(jìn)行晶片的熱處理。

反應(yīng)器對(duì)投放的晶片執(zhí)行熱處理工藝，晶舟是用于為了以預(yù)定數(shù)量為單位(例如，180片)裝載(Charge)用于熱處理的晶片投放到反應(yīng)器內(nèi)部，或者為了卸載(Discharge)已熱處理的晶片而向反應(yīng)器外部排出晶片。

所述反應(yīng)器具有加熱器外殼、外管(Outer?Tube)、內(nèi)管(Inner?Tube)。

內(nèi)管可分為上部的晶舟區(qū)域與下部的隔熱區(qū)域。晶舟區(qū)域是裝載晶舟并且對(duì)裝在晶舟的晶片進(jìn)行熱處理的區(qū)域，而隔熱區(qū)域是具有隔熱結(jié)構(gòu)以在晶片工藝中與外部隔絕保持高溫的晶舟區(qū)域的區(qū)域。

晶片工藝中，向內(nèi)管上部的晶舟區(qū)域供應(yīng)反應(yīng)氣體，向內(nèi)管下部的隔熱區(qū)域供應(yīng)吹掃氣體。為了晶片工藝，晶舟區(qū)域可保持高溫與低壓環(huán)境。

通常情況下，在工藝中吹掃氣體在隔熱區(qū)域經(jīng)過(guò)放置有晶片的晶舟區(qū)域的下部，從內(nèi)管向外管排放。通過(guò)所述的現(xiàn)有的工藝環(huán)境，針對(duì)裝載于晶舟下部的晶片的工藝環(huán)境受到吹掃氣體的影響。

因此，位于遠(yuǎn)離隔熱區(qū)域的位置的晶片與接近隔熱區(qū)域的位置的晶片被暴露在其他工藝環(huán)境下。所述的工藝環(huán)境的差異在保持工藝穩(wěn)定性時(shí)起到障礙作用，并且起到降低生產(chǎn)力的作用。

發(fā)明內(nèi)容

(要解決的問(wèn)題)

本發(fā)明的目的在于，提供如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：在內(nèi)管的內(nèi)部空間中吹掃氣體不影響晶舟區(qū)域的晶片的同時(shí)通過(guò)獨(dú)立的排氣空間排放，進(jìn)而可保持穩(wěn)定的工藝環(huán)境。

另外，本發(fā)明的另一目的在于，提供如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：具有隔熱結(jié)構(gòu)與吹掃結(jié)構(gòu)，所述隔熱結(jié)構(gòu)具有隔熱芯體與隔熱組件，所述隔熱芯體向晶舟傳遞旋轉(zhuǎn)力，所述隔熱組件插入有隔熱芯體并且提供排氣空間，所述吹掃結(jié)構(gòu)是吹掃氣體經(jīng)過(guò)排氣空間并繞過(guò)隔熱芯體。

另外，本發(fā)明的其他一目的在于，提前如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：利用上下間隔的隔熱件或者外側(cè)面具有環(huán)形水平通道的隔熱提供隔熱區(qū)域的排氣空間，進(jìn)而不影響晶舟區(qū)域的晶片的同時(shí)可排放吹掃氣體。

另外，本發(fā)明的其他一目的在于，提供如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：具有隔熱結(jié)構(gòu)與吹掃結(jié)構(gòu)，所述隔熱結(jié)構(gòu)具有隔熱芯體與隔熱組件，所述隔熱芯體向晶舟傳遞旋轉(zhuǎn)力，隔熱組件插入有隔熱芯體并且提供排氣空間，所述吹掃結(jié)構(gòu)是吹掃氣體經(jīng)過(guò)排氣空間并繞過(guò)隔熱件。

另外，本發(fā)明的其他一目的在于，提供如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：通過(guò)結(jié)合驅(qū)動(dòng)軸的凸緣中央的吹掃氣體入口與凸緣邊部的吹掃氣體噴嘴在相互分離的位置供應(yīng)吹掃氣體，進(jìn)而改善吹掃效率。

(解決問(wèn)題的手段)