[發(fā)明專利]具有漏極有源區(qū)域的半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910673915.1
• 申請(qǐng)日: 2019-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN110783334A
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林欣;S·R·梅霍特拉;祝榮華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L29/06
• 代理公司: 11038 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 秦晨

本發(fā)明涉及具有漏極有源區(qū)域的半導(dǎo)體裝置。一種半導(dǎo)體裝置包括晶體管的漏極區(qū)、直接處于漏極區(qū)下方的漏極有源區(qū)域、直接處于隔離結(jié)構(gòu)下方的漂移區(qū)域以及直接處于晶體管的柵極結(jié)構(gòu)下方的積聚區(qū)域。半導(dǎo)體裝置包括第一導(dǎo)電類型的、第一濃度的第一選擇性摻雜植入物區(qū)，第一選擇性摻雜植入物區(qū)延伸到第一深度。第一選擇性摻雜植入物區(qū)位于漂移區(qū)域、漏極有源區(qū)域和積聚區(qū)域中。半導(dǎo)體裝置包括第一導(dǎo)電類型的、第二濃度的第二選擇性摻雜植入物區(qū)，第二選擇性摻雜植入物區(qū)延伸到小于第一深度的第二深度。第二濃度小于第一濃度。第二選擇性摻雜植入物區(qū)位于漏極有源區(qū)域中，但不在積聚區(qū)域中。第二選擇性摻雜植入物區(qū)占據(jù)第一摻雜區(qū)不占據(jù)的漏極有源區(qū)域的側(cè)向部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及一種具有漏極有源區(qū)域的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

一些晶體管(如LDMOS晶體管)通常包括處于漏極區(qū)與溝道區(qū)之間的、在漏極區(qū)與溝道區(qū)之間的表面隔離結(jié)構(gòu)下面的漂移區(qū)。

圖1是集成電路101的局部剖切側(cè)視圖，所述集成電路101包括具有共享N型漏極區(qū)121的兩個(gè)晶體管103和105。晶體管103包括N型源極區(qū)117、N型源極擴(kuò)展部119和柵極結(jié)構(gòu)107。晶體管105包括N型源極區(qū)125、N型源極擴(kuò)展部123和柵極結(jié)構(gòu)109。集成電路101包括P型外延層147，所述P型外延層147形成于位于N型襯底層151上的掩埋絕緣體層149上。位于層147中的是P阱137和139、N區(qū)141以及N區(qū)143和145。集成電路101還包括P型體接觸區(qū)115和127。集成電路101還包括隔離環(huán)153以及隔離結(jié)構(gòu)129、131、133和135。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：

柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于晶體管的襯底上方；

所述晶體管的所述襯底中的第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)；

所述晶體管的所述襯底中的第一導(dǎo)電類型的漏極區(qū)；

所述晶體管的所述襯底中的第二導(dǎo)電類型的溝道區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型是相對(duì)的；

隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)直接側(cè)向地處于所述漏極區(qū)與所述溝道區(qū)之間；

其中所述襯底包括直接處于所述漏極區(qū)下方的漏極有源區(qū)域、直接處于所述隔離結(jié)構(gòu)下方的漂移區(qū)域、以及直接處于所述柵極結(jié)構(gòu)下方且包括直接側(cè)向地位于所述隔離結(jié)構(gòu)與所述溝道區(qū)之間的一部分的積聚區(qū)域；

其中所述襯底包括所述第一導(dǎo)電類型的、第一摻雜物濃度的第一選擇性摻雜植入物區(qū)，所述第一選擇性摻雜植入物區(qū)延伸到第一深度，所述第一選擇性摻雜植入物區(qū)位于所述漂移區(qū)域、所述漏極有源區(qū)域和所述積聚區(qū)域中；

其中所述襯底包括所述第一導(dǎo)電類型的、第二濃度的第二選擇性摻雜植入物區(qū)，所述第二選擇性摻雜植入物區(qū)延伸到小于所述第一深度的第二深度，所述第二濃度小于所述第一濃度，所述第二選擇性摻雜植入物區(qū)位于所述漏極有源區(qū)域中，但不在所述積聚區(qū)域中，其中所述第二選擇性摻雜植入物區(qū)占據(jù)所述第一選擇性摻雜植入物區(qū)不占據(jù)的所述漏極有源區(qū)域的側(cè)向部分。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述晶體管被表征為LDMOS晶體管。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電類型是P導(dǎo)電類型，并且所述第二導(dǎo)電類型是N導(dǎo)電類型。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一選擇性摻雜植入物區(qū)和所述第二選擇性摻雜植入物區(qū)位于所述第一導(dǎo)電類型的外延層中，其中所述外延層具有低于所述第二濃度的所述第一導(dǎo)電類型的摻雜濃度。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第二選擇性摻雜植入物區(qū)位于所述漂移區(qū)域中。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述襯底包括所述第二導(dǎo)電類型的掩埋摻雜區(qū)，所述掩埋摻雜區(qū)直接處于所述第一選擇性摻雜植入物區(qū)和所述第二選擇性摻雜植入物區(qū)下方。