[發明專利]一種改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置在審
| 申請號： | 201910672548.3 | 申請日： | 2019-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN110438462A | 公開（公告）日： | 2019-11-12 |
| 發明（設計）人： | 劉川;王昭桂;陳子豪 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 陳偉斌 |
| 地址： | 510275 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空室 氧化物半導體 陽極 靶材 濺射 磁控濺射裝置 成膜 基板 電學穩定性 射頻功率源 成膜技術 基板表面 偏轉磁場 生成裝置 氧負離子 真空系統 氣體源 薄膜 轉動 配合 | ||
1.一種改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，包括有真空室(3)及設于真空室(3)中的靶材(7)及帶有待濺射基板(2)的陽極(1)，所述真空室(3)連接真空系統(5)和氣體源(10)，所述陽極(1)能相對于真空室(3)轉動；還包括有與陽極(1)和靶材(7)配合的射頻功率源(9)，其特征在于，所述待濺射基板(2)與靶材(7)之間設有偏轉磁場生成裝置。
2.根據權利要求1所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述偏轉磁場生成裝置包括電磁鐵(13)、控制開關(14)及電源(15)，所述電磁鐵(13)、控制開關(14)及電源(15)形成控制回路，所述控制開關(14)及電源(15)設于真空室(3)外。
3.根據權利要求2所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述偏轉磁場生成裝置還包括設于電源(15)與電磁鐵(13)之間的可變電阻器(12)。
4.根據權利要求2所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述電源(15)為直流電源(15)。
5.根據權利要求2所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述偏轉磁場生成裝置對稱的設置在待濺射基板(2)的兩端。
6.根據權利要求5所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述待濺射基板(2)兩端的偏轉磁場生成裝置中電磁鐵(13)通過的電流方向一致，且相對的電磁鐵(13)的兩極為異名磁極。
7.根據權利要求1所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述靶材(7)設于與真空室(3)固接的基座上，所述基座上與靶材(7)相對的一側設有磁控組件(8)。
8.根據權利要求1所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述真空室(3)設有陰極罩(6)，所述陰極罩(6)套設于靶材(7)上，所述陰極罩(6)設有開口。
9.根據權利要求8所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述真空室(3)設有濺射擋板(4)，所述濺射擋板(4)設有與真空室(3)連接的支撐部及設于陰極罩(6)上部的遮擋部。
10.根據權利要求1所述的改善氧化物半導體成膜質量的磁控濺射裝置，其特征在于，所述氣體源(10)與真空室(3)之間設有流量計(11)。
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