[發(fā)明專利]一種微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910672291.1
• 申請日: 2019-07-24
• 公開（公告）號: CN110349889B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱鐘源;湯暉;何思豐;陳新;高健;賀云波;崔成強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王雨

1.一種微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，包括導(dǎo)軌及芯片轉(zhuǎn)移模塊；

所述導(dǎo)軌兩側(cè)包括沿所述導(dǎo)軌延伸方向排列的導(dǎo)軌電極；所述導(dǎo)軌上表面設(shè)置有氣孔，所述氣孔在所述芯片轉(zhuǎn)移模塊沿所述導(dǎo)軌宏動時噴出氣流，使所述芯片轉(zhuǎn)移模塊與所述導(dǎo)軌無接觸；

所述芯片轉(zhuǎn)移模塊套裝在所述導(dǎo)軌上，且所述芯片轉(zhuǎn)移模塊與所述導(dǎo)軌之間具有間隙；

所述芯片轉(zhuǎn)移模塊內(nèi)側(cè)包括與所述導(dǎo)軌電極相對應(yīng)的芯片轉(zhuǎn)移模塊電極，通過改變所述導(dǎo)軌電極與所述芯片轉(zhuǎn)移模塊電極的電場強(qiáng)度，使所述芯片轉(zhuǎn)移模塊沿所述導(dǎo)軌宏動。

2.如權(quán)利要求1所述的微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述導(dǎo)軌上表面具有兩列沿所述導(dǎo)軌的延伸方向的排列的對稱分布的氣孔。

3.如權(quán)利要求1所述的微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，還包括分壓擋板，所述分壓擋板設(shè)置于所述導(dǎo)軌上方；

當(dāng)所述芯片轉(zhuǎn)移模塊的通孔的下表面與所述導(dǎo)軌的下表面接觸時，所述芯片轉(zhuǎn)移模塊的上表面與所述分壓擋板接觸。

4.如權(quán)利要求3所述的微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，當(dāng)所述芯片轉(zhuǎn)移模塊的通孔的下表面與所述導(dǎo)軌的下表面接觸時，所述芯片轉(zhuǎn)移模塊的底面水平。

5.如權(quán)利要求1所述的微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述芯片轉(zhuǎn)移模塊的通孔的上側(cè)內(nèi)表面設(shè)置有塊狀壓電材料，所述塊狀壓電材料可通過調(diào)節(jié)電信號進(jìn)行伸縮；

當(dāng)所述塊狀壓電材料伸長時，所述芯片轉(zhuǎn)移模塊相對于所述導(dǎo)軌向上移動，使所述芯片轉(zhuǎn)移模塊的通孔的下表面與所述導(dǎo)軌的下表面緊密接觸，通過摩擦力固定所述芯片轉(zhuǎn)移模塊與所述導(dǎo)軌的相對位置。

6.如權(quán)利要求1所述的微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述芯片轉(zhuǎn)移模塊包括平面微動平臺與懸掛裝置；

所述平面微動平臺設(shè)置于所述懸掛裝置下方，所述懸掛裝置與所述平面微動平臺圍成腔體，所述腔體中設(shè)置有連接塊；

所述連接塊與所述懸掛裝置通過沿第一方向延伸的第一雙層壓電梁連接；所述連接塊與所述微動平臺通過沿第二方向延伸的第二雙層壓電梁連接；

所述第一雙層壓電梁與所述第二雙層壓電梁為可伸縮的雙層壓電梁。

7.如權(quán)利要求6所述的微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向為在同一平面內(nèi)相互垂直的兩個方向。

8.如權(quán)利要求7所述的微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述連接塊為正方形連接塊。

9.如權(quán)利要求1至8任一項所述的微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，還包括機(jī)器視覺裝置；

所述機(jī)器視覺裝置包括CCD相機(jī)，所述CCD相機(jī)設(shè)置在所述微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置的底部，鏡頭向上，通過機(jī)器視覺反饋所述芯片轉(zhuǎn)移模塊的間距數(shù)據(jù)，使所述微小芯片的批量轉(zhuǎn)移裝置能通過所述間距數(shù)據(jù)調(diào)整所述芯片轉(zhuǎn)移模塊的間距。