[發(fā)明專利]痕量探測設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910670828.0
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN112345621A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張清軍;李元景;陳志強(qiáng);李薦民;劉以農(nóng);劉耀紅;趙艷琴;嚴(yán)李李;曹彪;馬秋峰;李鴿
• 申請（專利權(quán)）人: 同方威視技術(shù)股份有限公司;清華大學(xué)
• 主分類號: G01N27/622
• 分類號: G01N27/622;H01J49/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王靜

1.一種痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述痕量探測設(shè)備包括：

盒體，所述盒體包括主體框架和頂板，所述頂板和主體框架構(gòu)成全封閉的腔體；

位于所述腔體內(nèi)且在腔體內(nèi)的第一側(cè)的離子遷移管組件；以及

位于所述腔體內(nèi)且在腔體內(nèi)的第二側(cè)的前放及高壓電路板，所述第二側(cè)與第一側(cè)相對。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的痕量探測設(shè)備，還包括底部支撐板和位于所述底部支撐板與所述主體框架的底板之間的第一緩沖倉，遷移氣從第一緩沖倉通過第一氣管組件輸入到離子遷移管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的痕量探測設(shè)備，還包括位于底部支撐板與所述主體框架的底板之間的第二緩沖倉，所述離子遷移管的排出氣通過第二氣管組件輸出到第二緩沖倉，所述第一緩沖倉和所述第二緩沖倉分別通過各自的O型密封圈與所述盒體的對應(yīng)部分密封連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述離子遷移管組件包括離子遷移管、依次位于離子遷移管外面的加熱層和保溫層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，

所述痕量探測設(shè)備還包括集束毛細(xì)色譜柱，所述集束毛細(xì)色譜柱通過穿過盒體的側(cè)壁的固定套插入到所述離子遷移管中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述固定套通過O型密封圈與盒體的側(cè)壁的外表面密封連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述離子遷移管通過第一連接導(dǎo)線與前放及高壓電路板電連接，而所述前放及高壓電路板通過第二連接導(dǎo)線引導(dǎo)出盒體外面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述前放及高壓電路板通過第二連接導(dǎo)線與盒體上的接插件相連，接插件將前放信號傳輸?shù)街骺匕逡约敖邮諄碜灾骺匕宓碾娫础?/p>

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述前放及高壓電路板與盒體的頂板之間設(shè)置有導(dǎo)熱材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述離子遷移管組件與所述前放及高壓電路板之間設(shè)置有絕熱材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述前放及高壓電路板由隔板支撐并固定在主體框架的底板上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，所述頂板的周邊向外的突出部通過O型密封圈與盒體的主體框架密封連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，第一緩沖倉具有進(jìn)氣氣管接頭，第二緩沖倉具有出氣氣管接頭，在第二緩沖倉的出氣氣管接頭與第一緩沖倉的進(jìn)氣氣管接頭之間設(shè)置有凈化裝置。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的痕量探測設(shè)備，其特征在于，在第二緩沖倉的出氣氣管接頭與凈化裝置之間還設(shè)置有隔膜泵。