[發明專利]一種異質結薄膜太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201910668940.0 | 申請日: | 2019-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN110556446B | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 葉瑛;丁訪暢;王秋瑾;胡雙雙;夏天;周一凡;張平萍 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | H01L31/072 | 分類號: | H01L31/072;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 傅朝棟;張法高 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 異質結 薄膜 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種異質結薄膜太陽能電池及其制備方法。該太陽能電池自上而下包括透明絕緣層、貴金屬薄膜、硫化鋅薄膜(氧化鋅薄膜)、硫化鉍薄膜、納米鉍顆粒、導電基底、納米鉍顆粒、硫化鉍薄膜、硫化鋅薄膜(氧化鋅薄膜)、貴金屬薄膜、透明絕緣層。使用的制備方法能夠得到大面積、均勻的復合薄膜,所用原料無毒,來源廣泛,且便于攜帶、利于推廣。本發明提供的雙面異質結薄膜太陽能電池,朝向陽光的一面是主吸光面,直接利用直射太陽光;背向陽光的一面可以采集環境中的散射光以及反射光,進一步的提高光電轉換效率,從而有望獲得光電轉化效率較高的新型太陽能電池。該制備方法簡單易行,適合大規模生產建設。
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,具體涉及一種硫化鉍/硫化鋅(硫化鉍/氧化鋅)異質結薄膜太陽能電池及其制備方法。
背景技術
隨著全世界經濟的不斷發展以及全球人口總量的快速增長,能源的消耗量在不斷的增加,在未來的時間里能源的消耗還會不斷的增長。然而傳統的化石能源無論從儲量還是環境方面來說都有其局限性,為了避免單一的能源結構體系在將來可能出現的嚴重后果,新能源的發展受到了各國的大力發展。在新能源的發展方面,特別是太陽能發電,受到了眾多研究者的青睞。在太陽能電池的發展中,關鍵問題就是提高光電轉換效率和降低制造成本。
目前光伏市場上占主導地位的太陽能電池為硅基薄膜太陽能電池、銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池和碲化鎘(CdTe)薄膜太陽能電池。在三大類薄膜太陽能電池中不僅制備工藝復雜,而且在CIGS和CdTe薄膜太陽能電池中,存在著原料稀缺和毒性污染等問題,所以不利于大面積推廣建設。硅基薄膜太陽能電池存在著轉換效率低和制造成本高的問題,所以也遠遠達到大面積推廣建設的要求。故在太陽能電池的發展中,選擇合適的半導體材料、降低制造成本、開發簡單工藝是志在必行的。
硫化鉍屬于V-VI族重要半導體化合物材料,室溫下禁帶寬度為1.30eV,能吸收可見-近紅外光波段,而且有較高的吸收系數(-105cm-1),該半導體材料具有無毒、穩定性高、環境友好、光伏轉換等優異性能,在太陽能電池、光電二極管陣列、紅外光譜學等方面有極大的應用價值,近年來受到越來越多研究者的關注。硫化鋅是II-VI族半導體材料,室溫下禁帶寬度約為3.7eV,寬禁帶寬度半導體材料適合做太陽能電池的窗口材料,可以反射少數載流子,減小載流子的表面復合,而且寬帶隙對太陽能電池的長波吸收波段是光學透明的,能夠減少光子的吸收損失,故在硫化鉍與硫化鋅形成的異質結薄膜太陽能電池中,能覆蓋可見光中的短波與長波波段,從而提高太陽電池的光電轉換效率。
氧化鋅和硫化鋅同屬II-VI族半導體材料,禁帶寬度為3.37eV,與硫化鋅半導體物理性質相似,因此也很適合做太陽能電池的窗口材料,與硫化鉍形成異質結薄膜太陽能電池。
在目前三大主流薄膜太陽能電池中,都存在著制備工藝復雜、制備成本高昂的問題。在本發明中,經過不斷的實驗,利用簡單工藝在柔性金屬基底上制備了雙面硫化鉍/硫化鋅異質結薄膜太陽能電池,經過測試能夠吸收轉換太陽光,所以有望獲得光電轉化效率高的新型太陽能電池,并能大大降低制造成本。在柔性金屬基底上制備的雙面Bi2S3/ZnS(Bi2S3/ZnO)異質結薄膜太陽能電池便于攜帶、大面積生產,具有很好的商業應用前景。
發明內容
本發明的目的在于針對三大主流太陽能電池存在的缺陷,在柔性金屬基底上制備了新型的雙面Bi2S3/ZnS(Bi2S3/ZnO)異質結薄膜太陽能電池,從而有利于太陽能電池的大面積推廣、商業化生產。
本發明所采用的具體技術方案如下:
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





