[發(fā)明專利]一種TMR全橋磁傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910668138.1 | 申請日： | 2019-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN110320482A | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉明;關(guān)蒙萌;胡忠強;朱家訓 | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海多創(chuàng)科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務所 44291 | 代理人： | 楊煥軍 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市高新區(qū)唐家*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 軟磁層 磁傳感器 軟磁材料 傳感器 制備 外部磁場作用 抗干擾能力 磁性變化 單一芯片 電阻變化 橋式連接 角位置 偏置場 橋結(jié)構(gòu) 永磁體 全橋 磁場 外圍 芯片 輸出 | ||
1.一種TMR全橋磁傳感器，包括：基片和設置于所述基片上的TMR單元，4組橋式連接的TMR單元形成全橋結(jié)構(gòu)；
其特征在于：
所述基片上還設置有軟磁層，所述TMR單元分布于所述軟磁層的外圍、分別位于所述軟磁層四個角位置處。
2.如權(quán)利要求1所述的TMR全橋磁傳感器，其特征在于：在每兩個相鄰的TMR單元之間設置電極引腳，其中一對相對的電極引腳為輸入端，另一對相對的電極引腳為輸出端。
3.如權(quán)利要求1或2所述的TMR全橋磁傳感器，其特征在于：所述軟磁層為方形。
4.如權(quán)利要求1或2所述的TMR全橋磁傳感器，其特征在于：所述軟磁層的厚度為nm到um量級。
5.一種TMR全橋磁傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供基片；
在所述基片上沉積TMR單元，4組TMR單元橋式連接形成全橋結(jié)構(gòu)；
在所述基片上沉積軟磁層，所述TMR單元分布于所述軟磁層的外圍、分別位于所述軟磁層四個角位置處。
6.如權(quán)利要求5所述的TMR全橋磁傳感器的制備方法，其特征在于：先沉積TMR單元，后沉積軟磁層。
7.如權(quán)利要求5所述的TMR全橋磁傳感器的制備方法，其特征在于：在每兩個相鄰的TMR單元之間設置電極引腳，其中一對相對的電極引腳為輸入端，另一對相對的電極引腳為輸出端。
8.如權(quán)利要求5或6所述的TMR全橋磁傳感器的制備方法，其特征在于：所述軟磁層為方形。
9.如權(quán)利要求5或6所述的TMR全橋磁傳感器的制備方法，其特征在于：所述軟磁層的厚度為nm到um量級。
10.如權(quán)利要求5或6所述的TMR全橋磁傳感器的制備方法，其特征在于：所述軟磁層由Fe或Co或Ni或其合金制成。
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