[發(fā)明專利]晶圓減薄方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910665718.5
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN110394910A
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余興
• 申請（專利權(quán)）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/04;H01L21/304
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

1.一種晶圓減薄方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供第一晶圓，所述第一晶圓包括第一鍵合面以及與所述第一鍵合面相對的第一背面，所述第一鍵合面與第二晶圓鍵合；

采用一切割線沿平行于所述第一鍵合面的方向切割所述第一晶圓，以減薄所述第一晶圓至預(yù)設(shè)厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，采用一切割線沿平行于所述第一鍵合面的方向切割所述第一晶圓的具體步驟包括：

固定一線鋸于所述第一晶圓外部，所述線鋸包括所述切割線以及用于承載所述切割線的基座；

保持所述切割線與所述第一晶圓相對運(yùn)動，使得所述切割線沿平行于所述第一鍵合面的方向切割所述第一晶圓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓減薄方法，其特征在于，采用一切割線沿平行于所述第一鍵合面的方向切割所述第一晶圓之前，還包括如下步驟：

沿所述第一晶圓的軸向方向，分別向所述第一晶圓和所述第二晶圓施加壓力，以固定所述第一晶圓和所述第二晶圓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述第二晶圓包括與所述第一鍵合面鍵合的第二鍵合面以及與所述第二鍵合面相對的第二背面；分別向所述第一晶圓和所述第二晶圓施加壓力的具體步驟包括：

采用第一吸盤吸附所述第一背面并向所述第一晶圓施加第一壓力、同時采用第二吸盤吸附所述第二背面并向所述第二晶圓施加第二壓力。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓減薄方法，其特征在于，保持所述切割線與所述第一晶圓相對運(yùn)動的具體步驟包括：

驅(qū)動所述第一吸盤與所述第二吸盤同步自轉(zhuǎn)，并同時驅(qū)動所述第一吸盤和所述第二吸盤沿平行于所述第一鍵合面的方向平移。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓減薄方法，其特征在于，保持所述切割線與所述第一晶圓相對運(yùn)動的具體步驟包括：

驅(qū)動所述第一吸盤與所述第二吸盤同步自轉(zhuǎn)，并同時驅(qū)動所述基座沿平行于所述第一鍵合面的方向平移。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓減薄方法，其特征在于，保持所述切割線與所述第一晶圓相對運(yùn)動的具體步驟包括：

驅(qū)動所述切割線沿第一方向運(yùn)動，并同時驅(qū)動所述基座沿第二方向平移，所述第一方向與所述第二方向均平行于所述第一鍵合面，且所述第一方向垂直于所述第二方向。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓減薄方法，其特征在于，保持所述切割線與所述第一晶圓相對運(yùn)動的具體步驟包括：

驅(qū)動所述切割線沿第一方向運(yùn)動，并同時驅(qū)動所述第一吸盤和所述第二吸盤同步沿所述第二方向平移，所述第一方向與所述第二方向均平行于所述第一鍵合面，且所述第一方向垂直于所述第二方向。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述切割線為直線型或環(huán)型。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述切割線為直線型，且所述切割線的長度大于所述第一晶圓的直徑。