[發(fā)明專利]垂直存儲器裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910665689.2
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN110970441A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 白石千
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;陳曉博

1.一種垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置包括：

柵電極，位于基底上，柵電極在垂直于基底的上表面的第一方向上彼此堆疊并間隔開，柵電極在平行于基底的上表面的第二方向上延伸，并且在垂直于第二方向并平行于基底的上表面的第三方向上布置；

溝道，在第一方向上延伸穿過柵電極；

合并圖案結(jié)構(gòu)，在第二方向上延伸，合并圖案結(jié)構(gòu)使每個水平的柵電極的延伸部的端部合并，其中，合并圖案結(jié)構(gòu)的在第二方向上的邊緣具有階梯形狀，并且合并圖案結(jié)構(gòu)包括電連接到每個水平的柵電極的延伸部的墊圖案；以及

單元接觸塞，電連接到合并圖案結(jié)構(gòu)中的墊圖案中的一個墊圖案，單元接觸塞在第一方向上延伸穿過合并圖案結(jié)構(gòu)，單元接觸塞與除了連接到所述一個墊圖案的柵電極的延伸部之外的其它水平的柵電極的延伸部電絕緣，單元接觸塞與所述一個墊圖案下方的導(dǎo)電材料接觸，并且單元接觸塞的上表面僅接觸絕緣材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，合并圖案結(jié)構(gòu)包括：

導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，包括連接線、導(dǎo)電線和墊圖案，導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)電連接到每個水平的柵電極的延伸部，以及

絕緣結(jié)構(gòu)，位于由導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)限定的空間中，絕緣結(jié)構(gòu)包括具有絕緣材料的犧牲圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，連接線在第三方向上延伸，導(dǎo)電線從連接線的在第三方向上的端部沿第二方向延伸，并且墊圖案從導(dǎo)電線的在第二方向上的端部沿第三方向突出。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直存儲器裝置，其中，絕緣結(jié)構(gòu)在第三方向上位于合并圖案結(jié)構(gòu)中的每個水平處的導(dǎo)電線之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，墊圖案位于合并圖案結(jié)構(gòu)的階梯的暴露部分的在第二方向上的邊緣處。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，單元接觸塞接觸合并圖案結(jié)構(gòu)中的墊圖案中的一個墊圖案，并且單元接觸塞穿過合并圖案結(jié)構(gòu)中的所述一個墊圖案下方的絕緣結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，柵電極的延伸部、連接線、導(dǎo)電線和墊圖案被合并為包括相同導(dǎo)電材料的一個連接結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，單元接觸塞包括接觸導(dǎo)電材料的第一底部部分和接觸導(dǎo)電材料與墊圖案之間的層的第二底部部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，單元接觸塞穿過合并圖案結(jié)構(gòu)中的墊圖案中的一個墊圖案，并且接觸包括在所述一個墊圖案中的孔的至少側(cè)壁。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，單元接觸塞與合并圖案結(jié)構(gòu)中的墊圖案中的一個墊圖案的上表面和側(cè)壁接觸，并且單元接觸塞穿過在第三方向上與墊圖案中的所述一個墊圖案相鄰的合并圖案結(jié)構(gòu)的絕緣材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中：

墊圖案包括穿過墊圖案的孔，

單元接觸塞包括：

第一部分，在第一方向上穿過合并圖案結(jié)構(gòu)的墊圖案中的一個墊圖案，

第二部分，在第一方向上穿過與墊圖案中的所述一個墊圖案相鄰的合并圖案結(jié)構(gòu)的絕緣材料，以及

第三部分，與所述一個墊圖案的上表面接觸，并且連接到第一部分和第二部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中：

墊圖案包括穿過墊圖案的多個孔，

單元接觸塞包括：

多個第一部分，穿過所述多個孔，以及

第二部分，與墊圖案的上表面接觸，并且連接到所述多個第一部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

電路圖案，形成在基底上，以及

下墊圖案，電連接到電路圖案并設(shè)置在最下面的柵電極下方，下墊圖案與單元接觸塞接觸。