[發明專利]基于單極子結構的寬帶基站天線

有效

• 申請號: 201910664080.3
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN110518343B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 劉英;黃盈;黃銘初;楊旭;賈永濤
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q9/30;H01Q19/10;H01Q21/00;H01Q21/24
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 楊春崗;陳宏社

1.一種基于單極子結構的寬帶基站天線，包括輻射結構(1)、四個相同的同軸饋線(2)、反射板(3)、支撐柱(4)，所述的輻射結構(1)由四個相同的單極子結構(1.1)、金屬地板結構(1.2)和第一介質板(1.3)組成；所述的金屬地板結構(1.2)包括印制在第一介質板(1.3)的上表面的第一金屬貼片(1.2.1)、印制在下表面第二金屬貼片(1.2.2)、金屬枝節(1.2.3)、金屬通孔(1.2.4)和正方形縫隙(1.2.5)，該金屬通孔(1.2.4)分別與第一金屬貼片(1.2.1)和第二金屬貼片(1.2.2)相互連接；所述的四個相同的同軸饋線(2)位于輻射結構(1)與反射板(3)之間；所述反射板(3)包括第二介質板(3.1)和印制在第二介質板(3.1)下表面的金屬層(3.2)；所述的四個相同的支撐柱(4)兩端分別貫穿于第一介質板(1.3)和反射板(3)；

其特征在于，所述的四個相同的單極子結構(1.1)由半圓形貼片(1.1.1)和短微帶線(1.1.2)組成；該四個相同的單極子結構(1.1)位于第一介質板(1.3)的上表面，且關于Z軸中心對稱分布；所述的短微帶線(1.1.2)延伸至與正方形縫隙(1.2.5)相對應的位置。

2.根據權利要求1所述的一種基于單極子結構的寬帶基站天線，其特征在于，所述的第一介質板(1.3)和第二介質板(3.1)相互平行，且第一介質板與第二介質板之間的距離表示為H1，其中，H1為35～40mm。

3.根據權利要求1所述的一種基于單極子結構的寬帶基站天線，其特征在于，所述的四個相同的單極子結構(1.1)分別位于第一介質板(1.3)兩條對角線上。

4.根據權利要求1所述的一種基于單極子結構的寬帶基站天線，其特征在于，所述的每個單極子(1.1)的半圓形貼片(1.1.1)的半徑表示為R1，短微帶線(1.1.2)的長表示為L1，寬表示為W1，其中，R1為10～15mm，L1為5～8mm為，W1為1～3mm。

5.根據權利要求1所述的一種基于單極子結構的寬帶基站天線，其特征在于，所述的地板結構(1.2)的切角三角形邊長表示為L2，中間圓形孔的半徑表示為R2，其中，L2為12～16mm，R2為28～35mm。

6.根據權利要求1所述的一種基于單極子結構的寬帶基站天線，其特征在于，所述的正方形縫隙(1.2.5)的邊長表示為L3，其中，L3為4～6mm。

7.根據權利要求1所述的一種基于單極子結構的寬帶基站天線，其特征在于，所述的金屬枝節(1.2.3)長度表示為L4，寬度表示為W2，其中，L4為4～8mm，W2為1～2mm。

8.根據權利要求1所述的一種基于單極子結構的寬帶基站天線，其特征在于，所述的第一介質板(1.3)、第二介質板(3.1)的介電常數為2.2～6.5。