[發明專利]一種增透防眩玻璃及其生產方法

有效

• 申請號: 201910663766.0
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN110275227B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 趙向陽
• 申請（專利權）人: 北京三重鏡業（大廠）有限公司
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11;G02B1/118;G02B1/115;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/35
• 代理公司: 北京市京師律師事務所 11665
• 代理人: 高曉麗

1.一種增透防眩玻璃，所述增透防眩玻璃包括玻璃基片(5)，其特征在于：所述玻璃基片(5)的一面有增透減反射鍍膜層，所述玻璃基片(5)的另一面為防眩光減反射凹凸面；

所述玻璃基片(5)的增透減反射鍍膜層共有四層；

所述玻璃基片(5)的增透減反射鍍膜層從內向外依次為第一五氧化二鈮膜層(1)、第一二氧化硅膜層(2)、第二五氧化二鈮膜層(3)、第二二氧化硅膜層(4)；

所述第一五氧化二鈮膜層(1)的厚度為30nm；

所述第一二氧化硅膜層(2)的厚度為30nm；

所述第二五氧化二鈮膜層(3)的厚度為50nm；

所述第二二氧化硅膜層(4)的厚度為100nm；

所述玻璃基片(5)的防眩光減反射凹凸面上的凹凸部分布均勻光滑圓鈍；

通過將所述玻璃基片(5)的防眩光減反射凹凸面劃分為分別具有規定尺寸的微小部分并且測量各個所述微小部分中的所述凹凸部的谷中從最低部到最高部的高度而獲得的數值群之中，6μm至8μm的數值部分占據了95％以上；

其中，所述防眩光減反射凹凸面通過對所述玻璃基片(5)進行噴砂處理而形成，在所述噴砂處理過程中，砂粒先在蝕刻液中浸泡后再噴向所述玻璃基片(5)，或者所述砂粒混入蝕刻液同時噴向所述玻璃基片(5)；

其中，所述砂粒包括粗砂、中砂和細砂，粗砂的噴射壓力為0.5～1kg/cm2，粗砂的噴射時間為10～20s，粗砂的溫度為10℃-15℃，中砂的噴射壓力為1～1.5kg/cm2，中砂的噴射時間為10～20s，中砂的溫度為15℃-20℃，細砂的噴射壓力為1.5～2kg/cm2，細砂的噴射時間為50～60s，蝕刻液的溫度為20℃-25℃，蝕刻液選自鹽酸、氫氟酸、氟化氫銨、氟化鈉、氟化銨、氟氫化鉀、氟化鈣、硝酸、濃硫酸、硫酸銨、硫酸鋇、硫酸鉀、氫氧化鈉、氫氧化鈣、硅酸鈉、硅酸鈣中的至少一種，蝕刻液的噴射壓力為3～5kg/cm2，蝕刻液的噴射時間為20～30s，蝕刻液的溫度為50℃-60℃。

2.一種增透防眩玻璃的生產方法，其特征在于：在一面為防眩光減反射凹凸面的玻璃基片(5)的另一面鍍制膜層構成增透減反射鍍膜層，或者，在對普通的玻璃基片(5)的一面鍍制膜層構成增透減反射鍍膜層的同時還對玻璃基片(5)的另一面進行噴砂處理構成防眩光減反射凹凸面；

其中，所述在一面為防眩光減反射凹凸面的玻璃基片(5)的另一面鍍制膜層構成增透減反射鍍膜層，包括：

先對一面為防眩光減反射凹凸面的玻璃基片(5)的另一面鍍制第一五氧化二鈮膜層(1)構成一層增透減反射鍍膜層；

再對一面為防眩光減反射凹凸面的玻璃基片(5)的另一面鍍制第一二氧化硅膜層(2)構成雙層增透減反射鍍膜層；

然后，對一面為防眩光減反射凹凸面的玻璃基片(5)的另一面鍍制第二五氧化二鈮膜層(3)構成三層增透減反射鍍膜層；

最后，對一面為防眩光減反射凹凸面的玻璃基片(5)的另一面鍍制第二二氧化硅膜層(4)構成四層增透減反射鍍膜層；

其中，所述在對普通的玻璃基片(5)的一面鍍制膜層構成增透減反射鍍膜層的同時還對玻璃基片(5)的另一面進行噴砂處理構成防眩光減反射凹凸面，包括：

先對普通的玻璃基片(5)的一面鍍制第一五氧化二鈮膜層(1)構成一層增透減反射鍍膜層，同時，用粗砂噴射該玻璃基片(5)的另一面快速地構成粗毛防眩光減反射凹凸面；

再對玻璃基片(5)的一面鍍制第一二氧化硅膜層(2)構成雙層增透減反射鍍膜層，同時，用中砂噴射玻璃基片(5)的另一面快速地構成中毛防眩光減反射凹凸面；

然后，對玻璃基片(5)的一面鍍制第二五氧化二鈮膜層(3)構成三層增透減反射鍍膜層，同時，用細砂噴射玻璃基片(5)的另一面構成細毛防眩光減反射凹凸面；

最后，對玻璃基片(5)的一面鍍制第二二氧化硅膜層(4)構成四層增透減反射鍍膜層，同時，用蝕刻液噴射玻璃基片(5)的另一面構成光滑防眩光減反射凹凸面；

其中，在真空條件下，通過磁控濺射方法依次將第一五氧化二鈮膜層(1)、第一二氧化硅膜層(2)、第二五氧化二鈮膜層(3)、第二二氧化硅膜層(4)層疊地鍍制在玻璃基片(5)的一面上；

在生產過程中，通過玻璃基片(5)構成真空腔室的密封壁；

在生產過程中，玻璃基片(5)處于斜置狀態使增透減反射鍍膜層朝下；

玻璃基片(5)與水平面之間的夾角為45度至85度；

在更換靶料的同時更換砂料；

玻璃作為原材料，經過切割、磨邊、清洗制成玻璃基片(5)；

將玻璃基片(5)放到設備的承載板上，設定傳動速度為1m/s，進入五氧化二鈮靶位，該靶為孿生靶，這時，該靶位所在真空室的真空度為4×10^-3mbar～9×10^-3mbar，電壓為800V～1100V，Ar氣量在200Sccm～400Sccm，O₂氣量在50～Sccm150Sccm，通過中頻交流磁控濺射法在玻璃基片(5)表面鍍制第一五氧化二鈮膜層(1)；

第一五氧化二鈮膜層(1)鍍制完成后，鍍上第一五氧化二鈮膜層(1)的玻璃基片(5)進入硅靶靶位處，該靶位所在真空室的真空度為2×10^-3mbar～7×10^-3mbar，電壓為400V～700V，Ar氣量在150Sccm～400Sccm，O₂氣量在50Sccm～150Sccm，電壓控制在400V～450V，通過中頻交流磁控濺射法在第一五氧化二鈮膜層(1)表面鍍制第一二氧化硅膜層(2)；

第一二氧化硅膜層(2)鍍制完成后，鍍上第一二氧化硅膜層(2)的玻璃基片(5)進入五氧化二鈮靶靶位處，該靶位所在真空室的真空度為5×10^-3mbar～9×10^-3mbar，電壓為500V～900V，Ar氣量在150Sccm～350Sccm，O₂氣量在100Sccm～350Sccm，電壓控制在400V～450V，通過中頻交流磁控濺射法在第一二氧化硅膜層(2)表面鍍制第二五氧化二鈮膜層(3)；

第二五氧化二鈮膜層(3)鍍制完成后，鍍上第二五氧化二鈮膜層(3)的玻璃基片(5)進入硅靶靶位處，該靶位所在真空室的真空度為4×10^-3mbar～8×10^-3mbar，電壓為400V-900V，Ar氣量在150Sccm-350Sccm，O₂氣量在50Sccm-250Sccm，電壓控制在400V-450V，通過中頻交流磁控濺射法在第二五氧化二鈮膜層(3)表面鍍制第二二氧化硅膜層(4)；

其中，所述防眩光減反射凹凸面通過對所述玻璃基片(5)進行噴砂處理而形成，在所述噴砂處理過程中，砂粒先在蝕刻液中浸泡后再噴向所述玻璃基片(5)，或者所述砂粒混入蝕刻液同時噴向所述玻璃基片(5)；

其中，所述砂粒包括粗砂、中砂和細砂，粗砂的噴射壓力為0.5～1kg/cm2，粗砂的噴射時間為10～20s，粗砂的溫度為10℃-15℃，中砂的噴射壓力為1～1.5kg/cm2，中砂的噴射時間為10～20s，中砂的溫度為15℃-20℃，細砂的噴射壓力為1.5～2kg/cm2，細砂的噴射時間為50～60s，蝕刻液的溫度為20℃-25℃，蝕刻液選自鹽酸、氫氟酸、氟化氫銨、氟化鈉、氟化銨、氟氫化鉀、氟化鈣、硝酸、濃硫酸、硫酸銨、硫酸鋇、硫酸鉀、氫氧化鈉、氫氧化鈣、硅酸鈉、硅酸鈣中的至少一種，蝕刻液的噴射壓力為3～5kg/cm2，蝕刻液的噴射時間為20～30s，蝕刻液的溫度為50℃-60℃。