[發明專利]響應面法優化獲得馬鈴薯脫毒苗繼代擴繁培養基的方法在審
| 申請號: | 201910660474.1 | 申請日: | 2019-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN110235787A | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 索玉祥;韓玉珠;牟彬;王彬;王雅平;張云;趙艷菲;馬思雯 | 申請(專利權)人: | 吉林農業大學 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00;G06Q10/04;G06Q50/02 |
| 代理公司: | 長春市吉利專利事務所 22206 | 代理人: | 李曉莉 |
| 地址: | 130118 吉林*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 馬鈴薯脫毒苗 擴繁培養基 大量元素 響應面法 有機物質 微量元素 繼代 鐵鹽 馬鈴薯培養基 植株生長狀況 單因素試驗 馬鈴薯組織 培養基優化 礦質元素 實踐應用 試驗因素 優化結果 水平CCD 生產成本 優化 響應 試驗 應用 | ||
1.響應面法優化獲得馬鈴薯脫毒苗繼代擴繁培養基的方法,其特征是:包括以下步驟,并且以下步驟順次進行,
步驟一、以MS培養基為基準培養基,將MS培養基的大量元素、微量元素、鐵鹽和有機物質作為4種試驗因素,并設定這4種試驗因素的質量含量均為100%,各試驗因素分別取5個小于100%的質量含量百分比值并輸入至Design-expert 8.0.6軟件,Design-expert8.0.6軟件將4種試驗因素各取一個質量含量百分比值形成的培養基數據中隨機抽取30種,并進行編號,形成中心組合試驗設計CCD試驗設計表;
步驟二、按照步驟一的CCD試驗設計表中顯示的數據稱取并配置培養基,每種培養基分裝至5瓶培養瓶中,向培養瓶按照30g/L添加蔗糖,按照6g/L添加瓊脂并混合,使用1mol/L的NaOH溶液調整培養瓶中的pH值為5.8~6.2;
步驟三、選取馬鈴薯中熟品種夏坡蒂(shepody)脫毒苗,每個培養瓶中接種4個單葉莖段,將接種后的培養瓶放置于培養室,培養溫度為25℃±2℃,光照強度為2000lx~3000lx,光照時間為13h/d,
步驟四、培養至第21天,測量并記錄各配比培養瓶中各植株的株高、莖粗、莖節數、莖葉鮮重、莖葉干重、根部鮮重、總根長、根平均直徑、總根面積、總根體積、根尖數和葉綠素含量,根據植株生長狀況指數計算公式分別獲得各配比培養基對應的各植株的植株生長狀況值;
步驟五、重復步驟二至步驟四,四次以上;
步驟六、將步驟四和步驟五獲得的各配比培養基對應的各植株的植株生長狀況值分別取平均值,獲得各配比培養基對應的植株生長狀況平均值;
步驟七、根據步驟六中獲得的各配比培養基對應的植株生長狀況平均值建立植株生長狀況回歸模型方差分析表,所述植株生長狀況回歸模型方差分析表的橫向分別包括方差來源、平方和、自由度、均方、方差分析指標F值和差異指標P值,縱向分別包括模型、大量元素比例、微量元素比例、鐵鹽比例、有機物質比例、一次項、二次項、殘差、失擬項、純誤差和總計;
步驟八、設定響應指標失擬閾值,將步驟七中植株生長狀況回歸模型方差分析表中差異指標P值小于響應指標失擬閾值的各項通過Design-expert 8.0.6軟件進行響應面試驗建立植株生長狀況的二次回歸方程;
步驟九、通過Design-expert 8.0.6軟件分別獲得大量元素比例和植株生長狀況關系圖、微量元素比例和植株生長狀況關系圖、鐵鹽比例和植株生長狀況關系圖、有機物質比例和植株生長狀況關系圖、大量元素比例與微量元素比例的交互作用等高線圖及其曲面圖、大量元素比例與鐵鹽比例的交互作用等高線圖及其曲面圖、大量元素比例與有機物質比例的交互作用等高線圖及其曲面圖、微量元素比例與鐵鹽比例的交互作用等高線圖及其曲面圖、微量元素比例與有機物質比例的交互作用等高線圖及其曲面圖、鐵鹽比例與有機物質比例的交互作用等高線圖及其曲面圖,并通過各圖獲得最優的馬鈴薯脫毒苗繼代擴繁培養基中大量元素為MS培養基大量元素質量的63%、微量元素為MS培養基微量元素質量的69%、鐵鹽為MS培養基鐵鹽質量的45%以及有機物質為MS培養基有機物質質量的34%。
2.根據權利要求1所述的響應面法優化獲得馬鈴薯脫毒苗繼代擴繁培養基的方法,其特征是:所述步驟一中各試驗因素分別取5個小于100%的質量含量百分比值包括大量元素分別取40%、50%、60%、70%或80%,微量元素分別取10%、30%、50%、70%或90%,鐵鹽分別取25%、40%、55%、70%或85%,有機物質分別取10%、20%、30%、40%或50%。
3.根據權利要求1所述的響應面法優化獲得馬鈴薯脫毒苗繼代擴繁培養基的方法,其特征是:所述步驟四中植株生長狀況指數計算公式為:
4.根據權利要求1所述的響應面法優化獲得馬鈴薯脫毒苗繼代擴繁培養基的方法,其特征是:所述步驟八中植株生長狀況的二次回歸方程為:
植株生長狀況=-0.13078+0.014835*A-5.34174E-004*B-5.01161E-005*+6.02957E-003*D+3.55080E-005*A*B+5.23398E-005*A*C-1.41112E-005
*A*D-9.03097E-006*B*C+1.18841E-005*B*D-1.40301E-005*C*D-1.51983E-004*A2-1.19885E-005*B2-2.41288E-005*C2-7.73913E-005*D2。
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