[發(fā)明專利]一種電子器件用半導(dǎo)體晶片拋光設(shè)備

有效

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• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN110421479B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓紅培
• 申請（專利權(quán)）人: 許昌學(xué)院
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/11;B24B37/005;B24B37/34;B24B55/02
• 代理公司: 蘇州拓云知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32344
• 代理人: 朱云龍

本發(fā)明公開了一種電子器件用半導(dǎo)體晶片拋光設(shè)備，涉及半導(dǎo)體晶片加工技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明通過設(shè)置磁致伸縮復(fù)合層，并將磁致伸縮復(fù)合層設(shè)置在彈性層與所述拋光層之間或者拋光層內(nèi)，利用電磁控制機(jī)構(gòu)對所述磁致伸縮復(fù)合層的伸縮變形進(jìn)行控制，這樣，可有效的實(shí)現(xiàn)對拋光墊的研磨效率和精度進(jìn)行控制，并能夠使得磁致伸縮復(fù)合層的變形隨著所述拋光墊與晶片之間的相對轉(zhuǎn)速的增高而變大，通過磁致伸縮復(fù)合層的變形來提高漿孔的通漿能力，提高對拋光墊的降溫效果以及帶走去除拋光碎屑的能力，保證晶片拋光質(zhì)量，而轉(zhuǎn)速降低時(shí)，可降低這種變形，使得拋光效率更高，孔隙更小，提高晶片表面的光滑度，降低孔隙過大對拋光晶片產(chǎn)生的不良影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片加工技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種電子器件用半導(dǎo)體晶片拋光設(shè)備。

背景技術(shù)

對于晶片的拋光來說，目前最為流行的拋光方式是采用化學(xué)機(jī)械研磨，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)為一種結(jié)合化學(xué)力與機(jī)械力來讓表面平滑的拋光方法。其是使用具有研磨與腐蝕作用的化學(xué)研磨漿，且與研磨墊一并使用，化學(xué)機(jī)械拋光能有效的移除在晶圓上的材料，且易于使晶圓的不規(guī)則起伏變得平坦穩(wěn)定，進(jìn)而使晶圓的表面質(zhì)量達(dá)到較高的等級。

目前，在對晶片進(jìn)行拋光時(shí)，由于拋光墊與晶片之間轉(zhuǎn)速較高，之間的摩擦生熱較多，這就需要研磨漿液能夠很好的進(jìn)行散熱，并能夠?qū)⒀心ミ^程中掉落的碎屑攜帶走，而且保證拋光墊在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，對此，目前的拋光墊一般需要在其內(nèi)部設(shè)置空腔或者細(xì)孔，以便在拋光過程中使得漿液始終填充于其內(nèi)部，提高漿液的流動能力。

但是，考慮到晶片的拋光效率以及精度，這種空腔或者細(xì)孔的過大過小均會產(chǎn)生不良影響，而且，拋光不同階段，轉(zhuǎn)速不同，實(shí)際上對拋光墊內(nèi)空腔或者細(xì)孔的大小要求也不同，但是，目前的這些設(shè)備并沒有考慮這一問題，導(dǎo)致不同拋光階段，拋光的效率或者精度受到影響。

因此，本發(fā)明提供了一種電子器件用半導(dǎo)體晶片拋光設(shè)備，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種電子器件用半導(dǎo)體晶片拋光設(shè)備，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種電子器件用半導(dǎo)體晶片拋光設(shè)備，包括工作臺、升降控制座、驅(qū)動機(jī)構(gòu)、晶片固定機(jī)構(gòu)和拋光墊，其中，所述工作臺內(nèi)設(shè)置有對晶片進(jìn)行驅(qū)動轉(zhuǎn)動并對晶片進(jìn)行固定的晶片固定機(jī)構(gòu)，所述工作臺上還安裝設(shè)置有所述升降控制座，所述升降控制座上支撐設(shè)置有所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)的端部連接有所述拋光墊；所述拋光墊包括從上往下依次連接的支撐層、彈性層和拋光層，所述拋光層上設(shè)置有多個(gè)供研磨漿進(jìn)入的漿孔，其特征在于，還包括磁致伸縮復(fù)合層，所述磁致伸縮復(fù)合層設(shè)置在所述彈性層與所述拋光層之間或者拋光層內(nèi)；

還包括電磁控制機(jī)構(gòu)，所述電磁控制機(jī)構(gòu)對所述磁致伸縮復(fù)合層的伸縮變形進(jìn)行控制。

進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述電磁控制機(jī)構(gòu)構(gòu)設(shè)為使得所述磁致伸縮復(fù)合層的變形隨著所述拋光墊與所述晶片之間的相對轉(zhuǎn)速的增高而變大。

進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述工作臺上位于所述晶片固定機(jī)構(gòu)的四周還設(shè)置有電磁屏蔽罩安裝槽，所述電磁屏蔽罩可拆卸的扣合安裝在所述電磁屏蔽罩安裝槽內(nèi)。

進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述磁致伸縮復(fù)合層包括多個(gè)同軸心布置的圓環(huán)形薄片結(jié)構(gòu)，且所述圓環(huán)形薄片結(jié)構(gòu)粘結(jié)固定在所述彈性層與所述拋光層之間。

進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述磁致伸縮復(fù)合層為圓盤形薄片結(jié)構(gòu)，所述拋光層包括多層層疊粘結(jié)在一起的拋光層單元，且相鄰的兩個(gè)拋光層單元之間粘結(jié)設(shè)置有所述圓盤形薄片結(jié)構(gòu)，且所述漿孔貫通整個(gè)拋光層以及圓盤形薄片結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述圓環(huán)形薄片結(jié)構(gòu)、圓盤形薄片結(jié)構(gòu)的厚度大于0.1mm且小于1.5mm。

進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述磁致伸縮復(fù)合層采用Terfenol-D粒子、環(huán)氧樹脂、聚酰胺、石墨混合制備而成。