[發(fā)明專利]使用有機發(fā)光二極管的照明裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910658757.2 | 申請日: | 2019-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN110783470B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋泰俊 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;譚天 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 有機 發(fā)光二極管 照明 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,所述照明裝置被劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述照明裝置包括:
基板;
輔助線,其設(shè)置在所述基板上的所述第一區(qū)域中;
多個阻擋層,其設(shè)置在所述基板上的所述第二區(qū)域中;
第一電極,其設(shè)置在其上設(shè)置有所述輔助線和所述多個阻擋層的所述基板的整個表面上;
有機層,其設(shè)置在所述第一電極上;
第二電極,其設(shè)置在所述有機層上;以及
其中所述多個阻擋層包括依次層疊的第一無機阻擋層、有機阻擋層和第二無機阻擋層,
其中所述第一無機阻擋層和所述第二無機阻擋層圍繞所述有機阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,
其中所述有機阻擋層的厚度比所述第一無機阻擋層和所述第二無機阻擋層中的任何一個的厚度更厚。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,
其中,所述有機阻擋層由光壓克力制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,
其中,所述有機阻擋層和所述第二無機阻擋層包括圓化的邊緣,其中所述圓化的邊緣指所述邊緣具有圓化的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,
其中所述多個阻擋層的厚度之和比所述輔助線的厚度更厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,
其中所述第一電極包括在所述第二區(qū)域的外邊緣的短路減少圖案,所述短路減少圖案形成為圍繞所述第二區(qū)域的外邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,
其中所述第一區(qū)域是非發(fā)光區(qū)域,以及所述第二區(qū)域是發(fā)光區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,
其中設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述輔助線通過剝離工藝被露出。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用有機發(fā)光二極管的照明裝置,還包括:
第一接觸電極,其電連接至所述第一電極并且在第一焊盤單元中露出到外部,以及
第二接觸電極,其電連接至所述第二電極并且在第二焊盤單元中露出到外部。
10.一種使用有機發(fā)光二極管的照明裝置的制造方法,包括:
提供被劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板;
在所述基板上的所述第一區(qū)域中形成輔助線和感光膜圖案;
在其上形成有所述輔助線和所述感光膜圖案的所述基板的整個表面上沉積第一無機阻擋層;
在其上沉積有所述第一無機阻擋層的所述基板上的所述第二區(qū)域中涂覆有機阻擋層;
在其上涂覆有所述有機阻擋層的所述基板的整個表面上沉積第二無機阻擋層;
通過去除設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述感光膜圖案來剝離沉積在所述感光膜圖案上的所述第一無機阻擋層和所述第二無機阻擋層;
在其上設(shè)置有所述輔助線、所述第一無機阻擋層、所述有機阻擋層和所述第二無機阻擋層的所述基板的整個表面上形成第一電極,以與在所述第一區(qū)域中露出的所述輔助線接觸;
在其上形成有所述第一電極的所述基板的整個表面上沉積有機層;以及
在其上形成有所述有機層的所述基板的整個表面上沉積第二電極;以及
其中,所述形成輔助線和感光膜圖案的步驟包括:
在所述基板的所述整個表面上沉積金屬層;
在其上沉積有所述金屬層的所述基板的所述第一區(qū)域中形成所述感光膜圖案;以及
使用所述感光膜圖案作為掩模來蝕刻沉積在所述基板的所述第二區(qū)域中的所述金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法,
其中在所述第一無機阻擋層和所述第二無機阻擋層的沉積的步驟中,
通過原子層沉積(ALD)方法沉積所述第一無機阻擋層和所述第二無機阻擋層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





