[發明專利]一種基于有限元分析的直線永磁電機渦流損耗計算方法在審
| 申請號: | 201910657547.1 | 申請日: | 2019-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN110516300A | 公開(公告)日: | 2019-11-29 |
| 發明(設計)人: | 吳濤;商慧麗;張煜葵;馮哲南 | 申請(專利權)人: | 中國地質大學(武漢) |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50;H02K41/03 |
| 代理公司: | 42238 武漢知產時代知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鄒桂敏<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 430000 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 渦流損耗 直線電機 直線永磁電機 密度分量 渦流回路 振蕩 速度隨時間變化 分層處理 計算區域 徑向磁通 徑向渦流 模型計算 永磁電機 終端效應 軸向磁通 高功率 無鐵芯 永磁體 動子 無槽 軸向 相加 引入 評估 分析 | ||
1.一種基于有限元分析的直線永磁電機渦流損耗計算方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:根據終端效應確定直線永磁電機渦流損耗的計算區域;
步驟2:將計算區域中PM塊的渦流損耗分為徑向渦流損耗和軸向渦流損耗兩部分計算,且將每個PM塊進行分層處理;
步驟3:根據步驟2的分層結果,通過有限元分析計算第k個PM塊中的磁通密度曲線,通過分析該曲線磁通密度的變化率,進而計算第k個PM塊徑向磁通密度分量Br引起的渦流損耗和軸向磁通密度分量Bx引起的渦流損耗;
步驟4:將通過步驟3計算得到的徑向渦流損耗和軸向渦流損耗相加即是第k個PM塊的渦流損耗;
步驟5:依據振蕩運動的對稱性,按上述第k個PM塊渦流損耗的計算方法計算LPMSM一個端部其余PM塊的渦流損耗,將這一端所有PM塊渦流損耗相加就是1/4振蕩周期中LPMSM的渦流損耗。
2.根據權利要求1所述的基于有限元分析的直線永磁電機渦流損耗計算方法,其特征在于,步驟1中,渦流損耗計算區域確定的方法為:LPMSM渦流損耗計算區域為兩個端部的PM塊,且LPMSM兩個端部渦流損耗是相同的。
3.根據權利要求1所述的基于有限元分析的直線永磁電機渦流損耗計算方法,其特征在于,步驟2中,PM塊分層方法為:將管狀LPMSM的環狀PM塊沿x軸也就是軸向方向擴展成扁平形狀,在與Br垂直方向上,將PM塊分成四層,在與Bx垂直方向上,根據極間距τp=36mm將PM塊分成n=36層,由此得到軸向磁通密度分量Bx(t)下PM塊中的渦流回路和徑向磁通密度分量Br(t)下PM塊中的渦流回路,以便更準確地計算PM塊渦流損耗。
4.根據權利要求1所述的基于有限元分析的直線永磁電機渦流損耗計算方法,其特征在于,步驟3中,在從xi到xi+1的移動期間,第k個PM塊的徑向渦流損耗計算公式為:
其中,為第k個PM塊第j層從ti到ti+1的徑向渦流損耗,n為徑向渦流回路個數,i表示序號,ti為一個周期中的第i個時刻,Δti=ti+1-ti,Erkj(Δti,n)2是第k個PM塊第j層中第n個渦流回路從ti到ti+1的平均感應電壓,Rrkj(n)是第k個PM塊第j層中第n個渦流回路的差分電阻。
5.根據權利要求1所述的基于有限元分析的直線永磁電機渦流損耗計算方法,其特征在于,步驟3中,第k個PM塊從ti到ti+1的軸向渦流損耗計算公式為:其中,n為層數,i表示序號,ti為一個周期中的第i個時刻,Δti=ti+1-ti,Pxkn(Δti)為第k個PM塊第n層第j個渦流回路處的渦流損耗。
6.根據權利要求1所述的基于有限元分析的直線永磁電機渦流損耗計算方法,其特征在于,步驟5中,計算渦流損耗的直線永磁電機是管狀振蕩無槽無鐵芯直線永磁電機。
7.根據權利要求1所述的基于有限元分析的直線永磁電機渦流損耗計算方法,其特征在于,步驟5中,正沖程過程根據振蕩沖程分為18個相等的部分。
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