[發(fā)明專利]射頻前端裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910656441.X
• 申請(qǐng)日: 2019-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110365359B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 仝林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): H04B1/40
• 分類號(hào): H04B1/40;H04B1/401
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種射頻前端裝置和電子設(shè)備，裝置包括：第一射頻通路；第二射頻通路；第一射頻模塊，第一射頻模塊包括第一5G放大模組、中高頻放大模組和第一開(kāi)關(guān)模組，第一5G放大模組連接第二射頻通路，中高頻放大模組通過(guò)第一開(kāi)關(guān)模組連接第一射頻通路和第二射頻通路；第二射頻模塊，第二射頻模塊包括第二5G放大模組、低頻放大模組和第二開(kāi)關(guān)模組，第二5G放大模組連接第二射頻通路，低頻放大模組通過(guò)第二開(kāi)關(guān)模組連接第一射頻通路和第二射頻通路。由此，可在不增加射頻通道數(shù)量的情況下實(shí)現(xiàn)4G和5G refarming頻段之間不同EN?DC組合配置。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻前端裝置和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

2019年被定義為5G通信元年，全球各大通信運(yùn)營(yíng)商也在今年正式拉開(kāi)5G移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)，由于考慮到5G SA(stand alone，獨(dú)立組網(wǎng))成本太高，國(guó)內(nèi)外絕大多數(shù)運(yùn)營(yíng)商選擇前期采用NSA(Non-standalone，非獨(dú)立組網(wǎng)),也即EN-DC(E-UTRA and New radioDual Connectivity，4G無(wú)線接入網(wǎng)與5G新空口的雙連接)的形式。EN-DC意味著整個(gè)射頻前端架構(gòu)將會(huì)變得比較復(fù)雜，同時(shí)一些運(yùn)營(yíng)商提出對(duì)傳統(tǒng)的600MHz～2700MHz頻帶的頻段進(jìn)行refarming,，這將進(jìn)一步增大移動(dòng)終端射頻前端架構(gòu)的設(shè)計(jì)難度。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的一個(gè)目的在于提出一種射頻前端裝置，低頻放大模組和中高頻放大模組通過(guò)開(kāi)關(guān)模組可選擇不同的射頻通路，從而可實(shí)現(xiàn)4G和5G refarming頻段之間的不同EN-DC組合配置。

本申請(qǐng)的另一個(gè)目的在于提出一種電子設(shè)備。

為達(dá)上述目的，本申請(qǐng)第一方面實(shí)施例提出一種射頻前端裝置，包括：第一射頻通路；第二射頻通路；第一射頻模塊，所述第一射頻模塊包括第一5G放大模組、中高頻放大模組和第一開(kāi)關(guān)模組，其中，所述第一5G放大模組連接所述第二射頻通路，所述中高頻放大模組通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)模組連接所述第一射頻通路和所述第二射頻通路，所述第一開(kāi)關(guān)模組用于控制所述中高頻放大模組接通所述第一射頻通路或所述第二射頻通路；第二射頻模塊，所述第二射頻模塊包括第二5G放大模組、低頻放大模組和第二開(kāi)關(guān)模組，其中，所述第二5G放大模組連接所述第二射頻通路，所述低頻放大模組通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)模組連接所述第一射頻通路和所述第二射頻通路，所述第二開(kāi)關(guān)模組用于控制所述低頻放大模組接通所述第一射頻通路或所述第二射頻通路。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例提出的射頻前端裝置，第一射頻模塊包括第一5G放大模組、中高頻放大模組和第一開(kāi)關(guān)模組，其中，第一5G放大模組連接第二射頻通路，中高頻放大模組通過(guò)第一開(kāi)關(guān)模組連接第一射頻通路和第二射頻通路，第一開(kāi)關(guān)模組用于控制中高頻放大模組接通第一射頻通路或第二射頻通路，第二射頻模塊包括第二5G放大模組、低頻放大模組和第二開(kāi)關(guān)模組，其中，第二5G放大模組連接第二射頻通路，低頻放大模組通過(guò)第二開(kāi)關(guān)模組連接第一射頻通路和第二射頻通路，第二開(kāi)關(guān)模組用于控制低頻放大模組接通第一射頻通路或第二射頻通路。由此，本申請(qǐng)實(shí)施例的射頻前端裝置，通過(guò)將低頻放大模組和中高頻放大模組分離，并且低頻放大模組和中高頻放大模組分別通過(guò)第二開(kāi)關(guān)模組和第一開(kāi)關(guān)模組接通不同的射頻通路，且設(shè)置兩組5G放大模組，5G放大模組連接第二射頻通路，從而，可在不增加射頻通道數(shù)量的情況下，實(shí)現(xiàn)4G和5G refarming頻段之間的不同EN-DC組合配置，并且，每種EN-DC組合下，射頻發(fā)射通路相互分離開(kāi)來(lái)，從而使得兩種頻段能夠同時(shí)工作，且不互相沖突。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述的射頻前端裝置，還包括：第一供電通路，所述第一供電通路與所述第一射頻模塊相連，以給所述第一射頻模塊供電；第二供電通路，所述第二供電通路與所述第二射頻模塊相連，以給所述第二射頻模塊供電。