[發明專利]扇形陣列探測器層析γ掃描核廢物桶檢測裝置及檢測方法

有效

• 申請號: 201910656302.7
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN110361770B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 石睿;庹先國;張貴宇;韓強;陸景;王琦標;鄧超;榮文鉦
• 申請（專利權）人: 四川輕化工大學
• 主分類號: G01T1/167
• 分類號: G01T1/167;G01T1/29
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 李玉興

1.采用扇形陣列探測器層析γ掃描核廢物桶檢測裝置進行檢測的方法，其特征在于，

所述扇形陣列探測器層析γ掃描核廢物桶檢測裝置，包括透射源升降裝置(1)、核廢物桶旋轉平臺(2)、陣列探測器升降裝置(3)；

所述透射源升降裝置(1)、核廢物桶旋轉平臺(2)以及陣列探測器升降裝置(3)沿直線分布，且所述核廢物桶旋轉平臺(2)位于透射源升降裝置(1)與陣列探測器升降裝置(3)之間；

所述透射源升降裝置(1)上設置有可上下升降的升降平臺(11)；所述升降平臺(11)上設置有透射源準直器(12)；所述核廢物桶旋轉平臺(2)上設置有核廢物桶(21)；所述陣列探測器升降裝置(3)上設置有可上下升降的探測器升降平臺(4)；所述探測器升降平臺(4)上設置有扇形分布的探測器準直器(5)；所述探測器準直器(5)位于以透射源(12)為中心的圓的直徑上；

還包括以下步驟：

S1、無桶時，打開透射源，獲取透射源各峰的透射峰面積，記為Sbef；

S2、在核廢物桶旋轉平臺(2)上安裝核廢物桶(21)；打開透射源，獲取透射源各峰的透射峰面積，記為Sbeh；

S3、關閉透射源，進行發射測量，獲取桶內自身放射性；

S4、衰減系數校正及活度計算；

S5、啟動透射源升降裝置(1)和陣列探測器升降裝置(3)使得升降平臺(11)和探測器升降平臺(4)同時上升同一高度；

S6、重復步驟S2至S4；進行下一層測量；直到透射源升降裝置(1)和陣列探測器升降裝置(3)上升到核廢物桶(21)的最高層；

在步驟S4中采用以下步驟衰減系數校正及活度計算：

S41、將能量、Sbef、Sbeh作為函數參數，計算得到衰減系數參數，并保存；

其計算公式為：

其中，μ為計算得到的線衰減系數，r為桶半徑；

S42、識別衰減系數校正方法；提供兩種衰減系數校正方法供選擇：

線性，公式如下：

μ＝exp(a*ln(E)+b)

其中，μ為計算得到的線衰減系數，E為特征能量，a、b為常數；

或者多項式，公式如下：

μ＝exp(a*ln²(E)+b*ln(E)+c)

其中，μ為計算得到的線衰減系數，E為特征能量，a、b、c為常數；

S43、獲取效率刻度系數；

S44、計算并保存當前層的活度，以待后用。

2.如權利要求1所述的采用扇形陣列探測器層析γ掃描核廢物桶檢測裝置進行檢測的方法，其特征在于：所述透射源準直器(12)材質為鉛，所述透射源準直器(12)的準直孔內徑為5.2mm，深度為120mm，厚度為120mm；準直孔孔壁為黃銅，厚度2mm。

3.如權利要求2所述的采用扇形陣列探測器層析γ掃描核廢物桶檢測裝置進行檢測的方法，其特征在于：所述探測器準直器(5)材質為鉛，所述探測器準直器(5)的準直孔內徑為75mm，外徑為175mm，深75mm；準直孔孔壁為黃銅，厚度2mm。

4.如權利要求1所述的采用扇形陣列探測器層析γ掃描核廢物桶檢測裝置進行檢測的方法，其特征在于：所述核廢物桶旋轉平臺(2)包括第二伺服電機、旋轉臺支架、旋轉臺底板、旋轉臺軸承座、旋轉臺主軸、角接觸軸承；

所述核廢物桶(21)通過旋轉臺支架安裝在旋轉臺底板上；所述第二伺服電機安裝在旋轉臺軸承座內，所述旋轉臺底板安裝在旋轉臺軸承座上；所述旋轉臺底板與旋轉臺軸承座之間設置有角接觸軸承；所述第二伺服電機通過旋轉臺主軸驅動旋轉臺底板轉動，所述旋轉臺支架設置在旋轉臺底板上；

所述旋轉臺底板與旋轉臺支架連接，所述旋轉臺底板通過第二伺服電機驅動實現對置于旋轉臺支架上的核廢物桶(21)的轉動。