[發(fā)明專利]光模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的級(jí)聯(lián)調(diào)制器與射頻集成電路異構(gòu)封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910656165.7
• 申請(qǐng)日: 2019-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN110518005B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒衛(wèi)文;李俊燕;李杏;于磊;陳建平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L25/16
• 分類號(hào): H01L25/16;H01L23/48;H01L23/31;G02B6/12;G02B6/42;H04B10/40;H04B10/516
• 代理公司: 上海恒慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 張寧展

1.一種光模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的級(jí)聯(lián)調(diào)制器與射頻集成電路異構(gòu)封裝，其特點(diǎn)在于包括由上至下依次設(shè)置的級(jí)聯(lián)調(diào)制器芯片層(1)、硅基板(3)、介質(zhì)布線層(4)、射頻集成電路(2)、圍框(5)和蓋板(6),

所述的級(jí)聯(lián)調(diào)制器芯片層(1)采用多個(gè)級(jí)聯(lián)的調(diào)制波導(dǎo)，進(jìn)光端口通過調(diào)制波導(dǎo)進(jìn)行光柵或者端面耦合；

所述的硅基板(3)內(nèi)部設(shè)置有垂直的TSV饋電網(wǎng)絡(luò)，該TSV饋電網(wǎng)絡(luò)的一端與所述的射頻集成電路(2)的微波信號(hào)的輸出單元連接，另一端與所述的級(jí)聯(lián)調(diào)制器芯片(1)連接，通過饋電網(wǎng)絡(luò)傳輸微波信號(hào)，以減小微波信號(hào)的傳輸損耗；

所述的介質(zhì)布線層(4)設(shè)置在所述的硅基板(3)的下表面貼合方，所述的介質(zhì)布線層(4)采用BCB，包括三層：下表面為微波芯片表貼層，中間層為數(shù)字信號(hào)和直流信號(hào)走線層，上層為接地層；

所述的射頻集成電路(2)包括分頻單元(2-1)、功率放大單元(2-2)、功率調(diào)節(jié)單元(2-3)，濾波單元(2-4)和功分單元(2-5)，所述的分頻單元(2-1)將輸入的射頻信號(hào)進(jìn)行分頻形成3路輸出；每路輸出分別經(jīng)所述的功率放大單元(2-2)將分頻后的信號(hào)進(jìn)行放大，所述的功率調(diào)節(jié)單元(2-3)對(duì)放大后的信號(hào)進(jìn)行調(diào)控，所述的濾波單元(2-4)濾除不需要的信號(hào)，所述的功分單元(2-5)再將3路射頻信號(hào)功分為8路輸出；所述的射頻集成電路(2)倒裝在所述的介質(zhì)布線層(4)的下表面上，正裝于所述的圍框(5)構(gòu)成的腔中；

所述的圍框(5)設(shè)置有垂直的TSV饋電網(wǎng)絡(luò)和用于放置所述的介質(zhì)布線層(4)下表面微波芯片的腔體，所述的介質(zhì)布線層(4)下表面的輸入口通過圍框(5)中的垂直TSV饋電網(wǎng)絡(luò)與所述的蓋板(6)的RDL的布線層互連，實(shí)現(xiàn)微波信號(hào)的三維垂直傳輸；

所述的射頻信號(hào)(RFin)與直流信號(hào)(DCin)的輸入端口在底層蓋板(6)的RDL布線層上，與外部接口互連，所述的蓋板(6)底面的對(duì)外接口包括微波接口、數(shù)字接口和電源接口。