[發明專利]一種具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統

在審

• 申請號: 201910654770.0
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN110223904A
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 李雪冬;劉小波;胡冬冬;劉海洋;孫宏博;車東晨;許開東
• 申請（專利權）人: 江蘇魯汶儀器有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 張惠忠

1.一種具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，所述等離子體處理系統包括反應腔室、位于反應腔室上的法拉第屏蔽裝置和進氣噴嘴；所述進氣噴嘴穿過法拉第屏蔽裝置向反應腔室通入工藝氣體；其特征在于：所述進氣噴嘴是導電材質，且進氣噴嘴與法拉第屏蔽裝置導電連接。

2.根據權利要求1所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：所述進氣噴嘴的進氣側連接有進氣管道；所述進氣噴嘴與進氣管道絕緣連接。

3.根據權利要求2所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：所述法拉第屏蔽裝置上設置有供進氣噴嘴穿過的通孔；所述通孔的內圈與進氣噴嘴導電連接；用于為所述法拉第屏蔽裝置供電的導線通過進氣噴嘴供電連接法拉第屏蔽裝置。

4.根據權利要求3所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：所述通孔位于法拉第屏蔽裝置的中心處。

5.根據權利要求3所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：所述法拉第屏蔽裝置包括多個中心對稱且間隔布置的瓣狀組件；每個瓣狀組件靠近對稱中心的一端均與進氣噴嘴相連。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：還包括位于反應腔室一端的介質窗；所述介質窗的內壁位于反應腔室與法拉第屏蔽裝置之間；所述進氣噴嘴噴出的工藝氣體穿過法拉第屏蔽裝置及介質窗通入反應腔室。

7.根據權利要求6所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：所述進氣噴嘴的出氣端口置于介質窗內壁外側。

8.根據權利要求7所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：所述進氣噴嘴的出氣端口處連通安裝有絕緣材質的延伸進氣管；所述延伸進氣管上設置有若干第一進氣孔；所述延伸進氣管穿過介質窗，并且通過所述若干第一進氣孔連通反應腔室；所述介質窗的內壁位于進氣噴嘴的出氣端口與反應腔室之間。

9.根據權利要求7所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：所述進氣噴嘴的出氣端口嵌入在介質窗內，且出氣端口位于介質窗的內壁和外壁之間；所述介質窗上設置有連通出氣端口與反應腔室的若干第二進氣孔。

10.根據權利要求1所述的具有法拉第屏蔽裝置的等離子體處理系統，其特征在于：所述進氣噴嘴內壁設置有耐腐蝕層。