[發明專利]一種快速放電RC型ESD保護電路

在審

• 申請號: 201910654738.2
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN110400798A
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 董程宏
• 申請（專利權）人: 南京芯馳半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京德崇智捷知識產權代理有限公司 11467
• 代理人: 王金雙

1.一種快速放電RC型ESD保護電路，包括觸發模塊和放電模塊，其特征在于，

所述觸發模塊，包括三級反相器模塊、PMOS反饋模塊、反饋增強觸發模塊、電阻和NMOS晶體管電容；

所述放電模塊，包括M_ESD放電管，其中M_ESD放電管為NMOS晶體管。

2.根據權利要求1所述的快速放電RC型ESD保護電路，其特征在于，所述三級反相器模塊包括第一級反相器、第二級反相器和第三級反相器，其中，

所述第一級反相器由第一PMOS晶體管和第一NMOS晶體管組成；

所述第二級反相器由第二PMOS晶體管和第二NMOS晶體管組成；

所述第三級反相器由第三PMOS晶體管和第三NMOS晶體管組成。

3.根據權利要求1所述的快速放電RC型ESD保護電路，其特征在于，所述反饋增強觸發模塊包括第四PMOS晶體管和第四NMOS晶體管，其中，

所述第四PMOS晶體管柵極與第三級反相器輸出端相連，源極與電源VDD相連，漏極與第三級反相器輸入端相連；

所述第四NMOS晶體管柵極與第三級反相器輸出端相連，源極與地VSS相連，漏極與第三級反相器輸入端相連。

4.根據權利要求1所述的快速放電RC型ESD保護電路，其特征在于，所述PMOS反饋模塊包括第五PMOS晶體管，其中柵極與第三級反相器輸出端相連，源極與電源VDD相連，漏極與第二PMOS晶體管的源極相連。

5.根據權利要求2所述的快速放電RC型ESD保護電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管柵極與第一級反相器輸入端相連，源極與電源VDD相連，漏極與第一級反相器輸出端相連；

所述第一NMOS晶體管柵極與第一級反相器輸入端相連，源極與地VSS相連，漏極與第一級反相器輸出端相連；

所述第二PMOS晶體管柵極與第二級反相器輸入端相連，源極與第五PMOS晶體管漏極相連，漏極與第二級反相器輸出端相連；

所述第二NMOS晶體管柵極與第二級反相器輸入端相連，源極與地VSS相連，漏極與第二級反相器輸出端相連；

所述第三PMOS晶體管柵極與第三級反相器輸入端相連，源極與電源VDD相連，漏極與第三級反相器輸出端相連；

所述第三NMOS晶體管柵極與第三級反相器輸入端相連，源極與地VSS相連，漏極與第三級反相器輸出端相連。

6.根據權利要求1所述的快速放電RC型ESD保護電路，其特征在于，所述第一級反相器輸出端與所述第二級反相器輸入端相連，所述第二級反相器輸出端與所述第三級反相器輸入端相連。

7.根據權利要求1所述的快速放電RC型ESD保護電路，其特征在于，所述電阻一端與所述第一級反相器輸入端相連，其另一端與電源相連；

所述NMOS晶體管電容的柵極與所述電阻一端相連，其漏極、源極與地相連。

8.根據權利要求1所述的快速放電RC型ESD保護電路，其特征在于，所述M_ESD放電管的柵極與第三級反相器輸出端相連，漏極與電源VDD相連，源極與地VSS相連。

9.根據權利要求1所述的快速放電RC型ESD保護電路，其特征在于，在保護電路正常工作狀態下，所述第三級反相器輸出端處于低電平，M_ESD放電管處于截止狀態；

當發生ESD事件時，電源端產生高電壓，第一PMOS晶體管導通，第一級反相器輸出端變成高電平，從而使第三級反相器輸出端也變成高電平，M_ESD放電管導通，電源到地形成放電通路。