[發明專利]嵌入的基于SONOS的存儲單元有效
| 申請號： | 201910654614.4 | 申請日： | 2014-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN110349963B | 公開（公告）日： | 2023-08-08 |
| 發明（設計）人： | 克里希納斯瓦米·庫馬爾;伊葛·葛茲尼索夫;范卡特拉曼·普拉哈卡 | 申請（專利權）人： | 經度快閃存儲解決方案有限責任公司 |
| 主分類號： | H10B43/30 | 分類號： | H10B43/30;H10B43/40;H10B43/35;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/167;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 愛爾蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 嵌入 基于 sonos 存儲 單元 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于制造半導體器件的方法，包括：
在襯底上形成電介質疊層，所述電介質疊層包含：在所述襯底上的隧道電介質；在所述隧道電介質上的電荷捕獲層；多層氮化硅帽層，其包括覆蓋在所述電荷捕獲層上的第一帽層以及覆蓋在所述第一帽層上的第二帽層；以及在所述第二帽層上的犧牲氧化物；以及
圖案化所述電介質疊層，以在所述襯底的第一區域中形成存儲器件的非易失性存儲(NVM)晶體管的柵極疊層，同時并發地從所述襯底的第二區域去除所述電介質疊層。
2.如權利要求1所述的方法，還包括進行柵極氧化處理以形成覆蓋所述第二區域中的襯底的金屬氧化物半導體(MOS)晶體管的柵極氧化物，同時并發地形成覆蓋所述電荷捕獲層的阻擋氧化物，其中，形成所述阻擋氧化物包括氧化所述第一帽層。
3.如權利要求1所述的方法，其中，所述電荷捕獲層包含多層電荷捕獲層，所述多層電荷捕獲層包括在所述隧道電介質上形成的第一電荷捕獲層以及在所述第一電荷捕獲層上形成的第二電荷捕獲層，所述第二電荷捕獲層比所述第一電荷捕獲層含氧少，并且包含分布在所述多層電荷捕獲層中的大多數電荷陷阱。
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