[發明專利]一種實現全銅互連的LED封裝方法及LED燈在審
| 申請號: | 201910654020.3 | 申請日: | 2019-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN110311030A | 公開(公告)日: | 2019-10-08 |
| 發明(設計)人: | 謝安;張旻澍 | 申請(專利權)人: | 廈門理工學院 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62 |
| 代理公司: | 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 陳槐萱 |
| 地址: | 361024 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 全銅 互連 基板 納米銅 銅糊 銅柱 浸漬 退火 貴金屬材料 薄膜轉移 工藝成本 刮刀涂布 互連工藝 基板設置 燒結 糊狀物 銅材料 無壓力 焊膏 甲酸 銅層 粘接 涂抹 薄膜 封裝 對準 制作 保證 | ||
本發明公開了一種實現全銅互連的LED封裝方法及LED燈,方法包括:制作納米銅焊膏;使用刮刀涂布的技術涂抹所述糊狀物,以產生均勻的銅糊狀薄膜;通過浸漬工藝將銅糊狀薄膜轉移到LED芯片的銅柱上;將LED芯片的銅柱對準待封裝的基板上;其中,所述基板設置有銅層;在甲酸氣氛中,在無壓力下以預定溫度進行退火來實現LED芯片與基板的全銅結合。本發明采用納米銅燒結互連工藝實現LED芯片與基板的全銅互連,一方面保證了連接的機械強度和粘接強度,另一方面使用銅材料相對于貴金屬材料可大大節省成本,同時本發明的整個工藝可以在較低的溫度下進行,降低了工藝成本。
技術領域
本發明涉及LED技術領域,尤其涉及一種實現全銅互連的LED封裝方法及LED燈。
背景技術
發光二極管(LED)是一種將電能直接轉化為光能的半導體器件。LED因其工作電壓低、光電轉化效率高、響應速度快、使用壽命長等優點,已被廣泛應用于指示燈、信號燈、顯示屏、景觀照明等領域。
由于LED在使用時,會產生大量的熱量,因此散熱是大功率LED封裝的關鍵步驟。芯片鍵合材料作為LED芯片和基板之間的粘接材料,屬于熱能傳遞的第一個環節,其機械強度、粘接強度、耐熱以及導熱性能的好壞直接決定了LED器件的失效率、衰減率及可靠性。因此,開發具有高可靠性的芯片鍵合材料對于促進LED產業快速發展、推廣和普及LED商用照明具有重要意義。
目前的鍵合材料主要采用固態Au-Au擴散鍵合或者Au-Sn共晶鍵合,且Au層的厚度至少需要1微米,而Au作為貴金屬,會大幅度增加制造成本。
發明內容
針對上述問題,本發明的目的在于提供一種實現全銅互連的LED封裝方法,能減少制造的成本。
本發明實施例提供了一種實現全銅互連的LED封裝方法,包括:
制作納米銅焊膏;
使用刮刀涂布的技術涂抹所述納米銅焊膏,以產生均勻的銅糊狀薄膜;
通過浸漬工藝將銅糊狀薄膜轉移到LED芯片的銅柱上;
將LED芯片的銅柱對準待封裝的基板上;其中,所述基板設置有銅層;
在甲酸氣氛中,在無壓力下以預定溫度進行退火來實現LED芯片與基板的全銅結合。
優選地,所述制作納米銅焊膏的步驟具體為:
將還原劑NaH2PO2溶解在二乙二醇溶液中,并采用超聲攪拌1小時,得到還原劑溶液;
將所述還原劑溶液用滴定管滴加到由前驅體CuSO4和PVP組成的溶液中,在140度下攪拌反應進行1小時后,分管裝入離心管中,經反復離心以及去離子水清洗3次后得到銅納米顆粒;
將所述銅納米顆粒經稱量后放入離心管中,放入一定體積的水作為分散劑,得到含一定質量分數的納米顆粒的液體;
將所述液體經超聲處理10分鐘后,加速蒸發去除部分溶液,得到納米銅焊膏。
優選地,所述預定溫度為160度。
優選地,所述基板上鍍設有銅薄膜層。
優選地,由于銅納米顆粒的表面積的數值遠大于其體積的數值,因此在連接處促進了銅原子的擴散以形成金屬接觸。本發明實施例還提供了一種LED燈,其采用上述的實現全銅互連的LED封裝方法封裝形成。
本實施例中,采用納米銅燒結互連工藝實現LED芯片與基板的全銅互連,一方面保證了連接的機械強度和粘接強度,另一方面使用銅材料相對于貴金屬材料可大大節省成本,同時本發明的整個工藝可以在較低的溫度下進行,降低了工藝成本。
附圖說明
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