[發明專利]一種參考電壓產生電路有效
| 申請號： | 201910653706.0 | 申請日： | 2019-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN110737298B | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | 林嘉亮 | 申請（專利權）人： | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 參考 電壓 產生 電路 | ||
1.一種參考電壓產生電路，包括：
一第一P型金屬氧化物半導體晶體管、一第一N型金屬氧化物半導體晶體管、一第二P型金屬氧化物半導體晶體管以及一第二N型金屬氧化物半導體晶體管，其中：
該第一P型金屬氧化物半導體晶體管的一源極、一柵極以及一漏極分別耦接于一第一節點、一第二節點以及一第三節點；
該第一N型金屬氧化物半導體晶體管的一源極、一柵極以及一漏極分別耦接于一第四節點、該第三節點以及該第二節點；
該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的一源極、一柵極以及一漏極分別耦接于該第三節點、該第四節點以及該第二節點；以及
該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的一源極、一柵極以及一漏極分別耦接于該第二節點、該第一節點以及該第三節點；
其中，通過該第一節點接收一參考電流。
2.如權利要求1所述的電路，還包含一電流源，配置以輸出該參考電流至該第一節點。
3.如權利要求2所述的電路，還包含：
一穩壓器，配置以接收該電流源的一輸出終端的一電壓，并在一穩壓節點輸出一供應電壓；以及
一負載電路，配置以自該穩壓節點接收電源。
4.如權利要求1所述的電路，其中該第一P型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比大致相等于該第一N型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比。
5.如權利要求1所述的電路，其中該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比大致相等于該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比。
6.一種參考電壓產生電路，包括：
一電流源，配置以產生一參考電流；
一參考負載網絡，配置以通過配置為一二極管連接拓撲結構的一主要N型金屬氧化物半導體晶體管接收該參考電流；
一源極隨耦器，由一次要N型金屬氧化物半導體晶體管實現，配置以接收在該主要N型金屬氧化物半導體晶體管的一柵極建立的一控制電壓，并在一穩壓節點輸出一供應電壓；
一負載電路，配置以自該穩壓節點接收電源，其中該參考負載網絡包含：一第一P型金屬氧化物半導體晶體管、一第一N型金屬氧化物半導體晶體管、一第二P型金屬氧化物半導體晶體管以及一第二N型金屬氧化物半導體晶體管，其中：
該第一P型金屬氧化物半導體晶體管的一源極、一柵極以及一漏極分別耦接于一第一節點、一第二節點以及一第三節點；
該第一N型金屬氧化物半導體晶體管的一源極、一柵極以及一漏極分別耦接于一第四節點、該第三節點以及該第二節點；
該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的一源極、一柵極以及一漏極分別耦接于該第三節點、該第四節點以及該第二節點；以及
該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的一源極、一柵極以及一漏極分別耦接于該第二節點、該第一節點以及該第三節點；
其中，通過該第一節點接收該參考電流。
7.如權利要求6所述的電路，其中該次要N型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比大于該主要N型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比，且大的一比例大致上與該負載電路的一電流與該參考電流間的一比值相同。
8.如權利要求6所述的電路，其中該第一P型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比大致相等于該第一N型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比。
9.如權利要求6所述的電路，其中該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比大致相等于該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的一寬長比。
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