[發明專利]一種滿擺幅高速正交二分頻電路

有效

• 申請號: 201910653341.1
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN110460331B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 吳建輝;仝飛;李紅
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03L7/18
• 分類號: H03L7/18
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 朱小兵

1.一種滿擺幅高速正交二分頻電路，其特征在于：正交二分頻電路由兩個完全相同的單元組成，為第一單元和第二單元，第一單元和第二單元均包含差分輸入對、NMOS交叉耦合對和PMOS交叉耦合對，且第一單元和第二單元通過交叉耦合連接；NMOS交叉耦合對和PMOS交叉耦合對作為差分輸入對的負載，PMOS交叉耦合對的柵極與漏極之間插入電阻；

第一單元和第二單元中設置有四個正交二分頻電路的輸出端，分別為輸出端QP、輸出端QN、輸出端IP和輸出端IN；

所述第一單元的差分輸入對包括第一NMOS管和第二NMOS管，其中第一NMOS管和第二NMOS管的源極相連，第一NMOS管的柵極與輸出端IP相連，第二NMOS管的柵極與輸出端IN相連；所述第二單元的差分輸入對包括第三NMOS管和第四NMOS管，其中第三NMOS管和第四NMOS管的源極相連，第三NMOS管的柵極與輸出端QP相連，第四NMOS管的柵極與輸出端QN相連；

所述第一單元的NMOS交叉耦合對包括第七NMOS管和第八NMOS管，其中，第七NMOS管和第八NMOS管的源極相連并接地，第七NMOS管的柵極與第八NMOS管的漏極相連，第七NMOS管的漏極與第八NMOS管的柵極相連，第七NMOS管的柵極與輸出端QN連接，第八NMOS管的柵極與輸出端QP連接；

所述第二單元的NMOS交叉耦合對包括第九NMOS管和第十NMOS管，其中，第九NMOS管和第十NMOS管的源極相連并接地，第九NMOS管的柵極與第十NMOS管的漏極相連，第九NMOS管的漏極與第十NMOS管的柵極相連，第九NMOS管的柵極與輸出端IP連接，第十NMOS管的柵極與輸出端IN連接；

所述第一單元的PMOS交叉耦合對包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一電阻、第二電阻，其中，第一PMOS管、第二PMOS管的源極相連并連接電源電壓，第一PMOS管的柵極與第二電阻的一端相連，第一PMOS管的漏極與第一電阻的一端相連，第二PMOS管的柵極與第一電阻的另一端相連，第二PMOS管的漏極與第二電阻的另一端相連；

第二單元的PMOS交叉耦合對包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三電阻、第四電阻，其中，第三PMOS管、第四PMOS管的源極相連并連接電源電壓，第三PMOS管的柵極與第四電阻的一端相連，第三PMOS管的漏極與第三電阻的一端相連，第四PMOS管的柵極與第三電阻的另一端相連，第四PMOS管的漏極與第四電阻的另一端相連；

第五NMOS管、第六NMOS管為尾電流源，第五NMOS管的漏極接第一NMOS管、第二NMOS管的源極，第五NMOS管的源極接地，第五NMOS管的柵極接差分輸入信號的一端，第六NMOS管的漏極接第三NMOS管、第四NMOS管的源極，第六NMOS管的源極接地，第六NMOS管的柵極接差分輸入信號的另一端。