[發(fā)明專利]一種可延展的容性柔性生物電極陣列及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910652780.0 | 申請日： | 2019-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN110495882A | 公開（公告）日： | 2019-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘泰松;江家豪;顏卓程;孫曉桐;高敏;姚光;林媛 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | A61B5/0478 | 分類號： | A61B5/0478 |
| 代理公司： | 51203 電子科技大學專利中心 | 代理人： | 吳姍霖<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 可延展 生物電極陣列 柔性基底 生物電極 金屬電極陣列 生物組織表面 醫(yī)療器械技術(shù) 延展性 柔性介電層 柔性中間層 緊密貼合 拉伸效果 蛇形導線 四層結(jié)構(gòu) 貼合效果 信號采集 腦部 容性 制備 采集 保證 | ||
1.一種可延展的容性柔性生物電極陣列，其特征在于，從下往上依次包括可延展柔性基底、可延展柔性中間層、金屬電極陣列和可延展柔性介電層，所述金屬電極陣列由陣列電極和焊盤組成，所述陣列電極與焊盤通過蛇形線連接，金屬電極陣列由其上方的可延展柔性介電層所覆蓋并使焊盤裸露，所述可延展柔性中間層的形狀與金屬電極陣列形狀保持一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述可延展的容性柔性生物電極陣列，其特征在于，所述可延展柔性基底為聚二甲基硅氧烷薄膜，厚度為100～135μm；可延展柔性中間層為聚酰亞胺薄膜，厚度為2～3μm；金屬電極陣列材料為Au，厚度為100～300nm；可延展柔性介電層為鈦酸鋇/聚二甲基硅氧烷復合薄膜，厚度為3～5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述可延展的容性柔性生物電極陣列，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷薄膜由樹脂與固化劑按質(zhì)量比為10：1制得。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述可延展的容性柔性生物電極陣列，其特征在于，所述鈦酸鋇/聚二甲基硅氧烷復合薄膜中鈦酸鋇的含量為25～30wt％。
5.如權(quán)利要求1～4任一所述可延展的容性柔性生物電極陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：在石英玻璃上旋涂一層光刻膠，加熱烘干后，在光刻膠上旋涂聚二甲基硅氧烷，然后加熱固化；
步驟2：在另一石英玻璃上旋涂一層聚酰亞胺，然后加熱固化；
步驟3：利用光刻技術(shù)和磁控濺射技術(shù)在步驟2得到的聚酰亞胺薄膜表面制備金屬電極陣列；
步驟4：將步驟3得到的金屬電極陣列和聚酰亞胺薄膜一同轉(zhuǎn)移至步驟1得到的聚二甲基硅氧烷薄膜上；
步驟5：在步驟4所得到的樣品上利用干法刻蝕去除沒有金屬電極陣列所阻擋部分的聚酰亞胺；
步驟6：在步驟5所得到的樣品上，將大小和焊盤部分面積相同且質(zhì)量配比為5：1的聚二甲基硅氧烷貼附于需要裸露的焊盤位置；
步驟7：在步驟6所得到的樣品上，旋涂一層鈦酸鋇/聚二甲基硅氧烷，除去步驟6中貼附的聚二甲基硅氧烷，然后加熱固化；
步驟8：將柔性生物電極陣列從石英玻璃基底上剝離，即可得到所述可延展的容性柔性生物電極陣列。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學，未經(jīng)電子科技大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910652780.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
