[發明專利]一種R-T-B永磁材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201910652042.6
• 申請日: 2019-07-18
• 公開（公告）號: CN110335735A
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 嚴長江;錢尼健;傅萬成
• 申請（專利權）人: 寧波科田磁業有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 車超平

1.一種R-T-B永磁材料，其特征在于，所述R-T-B永磁材料為R_xT_yTm_qB_z；

其中，13≤x≤15.5，0.5≤q≤3，0.85≤z≤1，y＝100-x-q-z；

其中，R為LR_aHR_1-a，LR為Pr、Nd、PrNd中的一種或幾種的組合，HR為Dy、Tb中的一種或兩種的組合，0.95≤a≤1；

其中，T為Fe、Co中的一種或兩種的組合；

其中，Tm為過渡金屬。

2.根據權利要求1所述的R-T-B永磁材料，其特征在于，所述Tm為Zr、Al、Cu、Ga、Sn、Si中的一種或幾種的組合。

3.根據權利要求1所述的R-T-B永磁材料，其特征在于，所述R-T-B永磁材料的主相晶粒為“核-殼”結構。

4.根據權利要求3所述的R-T-B永磁材料，其特征在于，HR在所述殼中的濃度大于HR在所述核中的濃度。

5.一種R-T-B永磁材料的制備方法，用于制備如權利要求1～5任一所述的R-T-B永磁材料，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：按照R_xT_yTm_qB_z配制原材料，其中，13≤x≤15.5，0.5≤q≤3，0.85≤z≤1，y＝100-x-q-z；

步驟S2、將所述原材料加入至真空熔煉裝置進行熔煉澆鑄，得到第一合金片；

步驟S3、在所述第一合金片上鍍重稀土膜，得到第二合金片；

步驟S4、對所述第二合金片進行粗破碎、研磨，得到細粉；

步驟S5、對所述細粉進行造粒、壓制成型，得到生坯；

步驟S6、對所述生坯進行擴散燒結和多級回火處理，得到R-T-B永磁材料。

6.根據權利要求5所述的R-T-B永磁材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述R為LR_aHR_1-a，LR為Pr、Nd、PrNd中的一種或幾種的組合，HR為Dy、Tb中的一種或兩種的組合；

其中，0.95≤a≤1。

7.根據權利要求5所述的R-T-B永磁材料的制備方法，其特征在于，所述Tm為過渡金屬，所述Tm為Zr、Al、Cu、Ga、Sn、Si中的一種或幾種的組合。

8.根據權利要求6所述的R-T-B永磁材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述原材料在惰性氣體下進行熔煉；

所述原材料在熔煉后，在1400℃～1500℃下進行澆鑄。

9.根據權利要求8所述的R-T-B永磁材料的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為Ar或He。

10.根據權利要求5所述的R-T-B永磁材料的制備方法，其特征在于，所述第一合金片的厚度為200～300μm。

11.根據權利要求5所述的R-T-B永磁材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述重稀土膜的材料為Dy、Tb中的任意一種或兩種的組合。

12.根據權利要求5所述的R-T-B永磁材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述重稀土膜的厚度為0～3μm。

13.根據權利要求5所述的R-T-B永磁材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟S3中，使用磁控濺射裝置在所述第一合金片鍍所述重稀土膜。