[發明專利]一種碳化硅單晶襯底的加工方法在審
| 申請號： | 201910651649.2 | 申請日： | 2019-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN110539240A | 公開（公告）日： | 2019-12-06 |
| 發明（設計）人： | 徐良;陽明益;占俊杰;藍文安;劉建哲;余雅俊 | 申請（專利權）人： | 浙江博藍特半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;B24B37/04;B24B37/08;B24B57/00;B28D5/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11619 北京辰權知識產權代理有限公司 | 代理人： | 董李欣<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 321000 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅單晶 鉆石 精拋光 加工 襯底 表面質量要求 半導體級 化學機械 加工效率 研磨 襯底片 粗拋光 均勻度 拋光液 良率 切割 | ||
1.一種碳化硅單晶襯底的加工方法，其特征在于，包括下列步驟：
先用鉆石線對碳化硅單晶制品進行切割，然后采用鉆石盤進行研磨，之后用鉆石拋光液進行粗拋光，最后經過精拋光得到碳化硅單晶襯底。
2.根據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述研磨用的鉆石盤上的鉆石顆粒粒徑號數介于#80～#1000。
3.根據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述鉆石拋光液主要由鉆石顆粒、懸浮劑和分散介質組成，其中，鉆石顆粒和懸浮劑的濃度分別優選為1wt％～10wt％、5-10wt％，所述鉆石顆粒的粒徑優選為1μm～10μm。
4.根據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述精拋光采用氧化鋁拋光漿料、氧化鈰拋光漿料或二氧化硅拋光漿料；
優選地，所述精拋光用的拋光漿料中顆粒粒徑為10nm～700nm。
5.根據權利要求4所述的加工方法，其特征在于，所述氧化鋁拋光漿料主要由氧化鋁顆粒、懸浮劑和分散介質組成，其中，氧化鋁顆粒和懸浮劑的濃度分別優選為10wt％～30wt％、5-10wt％。
6.根據權利要求1-5任一項所述的加工方法，其特征在于，所述研磨為雙面研磨，所述粗拋光和所述精拋光為單面拋光。
7.根據權利要求1-5任一項所述的加工方法，其特征在于，所述切割的工藝條件為：線速度介于400～1500m/s，基座下降速度介于1～20mm/hr，供線量介于1～20m/min，以及搖擺角度介于1～10°。
8.根據權利要求1-5任一項所述的加工方法，其特征在于，所述研磨的工藝條件為：加工壓力介于10～120g/mm2，加工轉速介于5～40rpm。
9.根據權利要求1-5任一項所述的加工方法，其特征在于，所述粗拋光的工藝條件為：加工壓力介于50～250g/mm2，加工轉速介于5～50rpm。
10.根據權利要求1-5任一項所述的加工方法，其特征在于，所述精拋光的工藝條件為：加工壓力介于100～600g/mm2，加工轉速介于5～70rpm。
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