[發明專利]用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備及鍍膜方法

在審

• 申請號: 201910651231.1
• 申請日: 2019-07-18
• 公開（公告）號: CN112239847A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 石建華;孟凡英;劉正新
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于，所述鍍膜設備包括：

陰極鍍膜源，所述陰極鍍膜源包括對應設置于真空腔內的第一陰極鍍膜源及第二陰極鍍膜源，其中，所述第一陰極鍍膜源位于所述真空腔上方，所述第二陰極鍍膜源位于所述真空腔下方；

載盤，包括追盤部件及承載臺階，通過所述追盤部件遮擋多個所述載盤之間的縫隙，以隔開所述第一陰極鍍膜源及第二陰極鍍膜源；通過所述承載臺階承載待鍍膜件，且遮擋所述待鍍膜件的第二表面的邊緣區域；所述載盤通過傳動機構在所述第一陰極鍍膜源下方及第二陰極鍍膜源上方運行，以在所述待鍍膜件的第一表面上形成第一透明導電氧化物薄膜及在所述待鍍膜件的第二表面上形成第二透明導電氧化物薄膜，且所述第一透明導電氧化物薄膜與所述第二透明導電氧化物薄膜通過所述承載臺階的遮擋而隔開。

2.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：所述第一陰極鍍膜源及第二陰極鍍膜源的中心線重合，以同時在所述待鍍膜件上形成所述第一透明導電氧化物薄膜及第二透明導電氧化物薄膜。

3.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：所述第一陰極鍍膜源及第二陰極鍍膜源的中心線平行，且所述第一陰極鍍膜源與所述第二陰極鍍膜源的中心所在的方向與垂直方向的夾角介于0°～60°之間，包括60°。

4.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：所述第一陰極鍍膜源及第二陰極鍍膜源包括一個陰極源或者多個陰極源。

5.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：沿所述載盤的運行方向，所述追盤部件的位置包括位于所述載盤的前端及后端中的一種或組合。

6.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：所述追盤部件的寬度范圍包括20mm～50mm，厚度范圍包括1mm～5mm；所述承載臺階的寬度范圍包括0.3mm～2mm。

7.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：所述傳動機構包括設置于所述真空腔兩側的滾輪，所述滾輪位于所述第一陰極鍍膜源與所述第二陰極鍍膜源的對稱軸上，且所述滾輪沿水平方向運行。

8.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：所述載盤還包括加固部件，以通過所述加固部件防止所述載盤的變形。

9.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：所述陰極鍍膜源包括射頻磁控濺射源及直流磁控濺射中的一種或組合，所述射頻磁控濺射包括中頻、高頻、甚高頻中的一種或者多種，所述直流磁控濺射源包括直流、直流脈沖、直流偏壓、直流脈沖偏壓中的一種或者多種。

10.根據權利要求1所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜設備，其特征在于：所述透明導電氧化物薄膜包括氧化銦薄膜、氧化錫薄膜、氧化鎘薄膜、氧化鎢薄膜、氧化鉬薄膜、氧化釩薄膜、氧化鈦薄膜、摻錫氧化銦薄膜、摻鋁氧化銦薄膜、摻鎢氧化銦薄膜、摻鈦氧化銦薄膜、摻銫氧化銦薄膜、摻鋁氧化鋅薄膜、摻鎵氧化鋅薄膜及摻鋁鎵氧化鋅薄膜中的一種或多種。

11.一種用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供權利要求1～10中任一所述鍍膜設備，提供待鍍膜件；

將所述待鍍膜件置于所述載盤的承載臺階上，通過所述追盤部件遮擋多個所述載盤之間的縫隙，通過所述傳動機構的運行傳輸所述載盤，以在所述待鍍膜件的第一表面上形成所述第一透明導電氧化物薄膜及在所述待鍍膜件的第二表面上形成所述第二透明導電氧化物薄膜，且所述第一透明導電氧化物薄膜與所述第二透明導電氧化物薄膜通過所述承載臺階的遮擋而隔開。

12.根據權利要求11所述的用于制作透明導電氧化物薄膜的鍍膜方法，其特征在于：所述陰極鍍膜源的功率密度包括3kW/m～15kW/m，鍍膜壓力包括0.1Pa～2.0Pa，鍍膜溫度包括20℃～220℃。